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JSM90N20P 发布时间 时间:2025/7/9 10:44:53 查看 阅读:4

JSM90N20P是一种高性能的MOSFET功率晶体管,采用N沟道增强型技术。该器件适用于多种开关和功率管理应用,能够提供低导通电阻和快速开关性能。
  它通常被用于电源管理、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器等场景中,具有良好的耐热性和稳定性,适合要求高效率和高可靠性的电路设计。

参数

型号:JSM90N20P
  类型:N沟道 MOSFET
  电压(Vds):200V
  电流(Id):9A
  导通电阻(Rds(on)):0.18Ω(典型值,最大值为0.22Ω,测试条件为Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):35nC
  输入电容(Ciss):1540pF
  开关时间:t_on=36ns,t_off=17ns
  封装形式:TO-220
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

JSM90N20P具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压(200V),使其能够在高压环境下稳定工作。
  2. 极低的导通电阻(0.18Ω),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  3. 快速开关能力,确保在高频应用中的高效性能。
  4. 较小的栅极电荷和输入电容,降低了驱动功耗。
  5. 优异的热稳定性,可承受较高的结温,延长使用寿命。
  6. TO-220封装提供了良好的散热性能和机械强度。
  7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

JSM90N20P广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC转换器和升降压电路中的功率开关。
  3. 各类电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
  5. 工业设备中的功率管理和信号调节。
  6. 充电器、适配器以及其他便携式电子产品的电源模块。
  7. 过流保护和短路保护电路。

替代型号

JSM90N20P的可能替代型号包括:
  IRFZ44N
  FQP16N20
  STP90NF20
  IXTH90N20T2

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