JSM90N20P是一种高性能的MOSFET功率晶体管,采用N沟道增强型技术。该器件适用于多种开关和功率管理应用,能够提供低导通电阻和快速开关性能。
它通常被用于电源管理、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器等场景中,具有良好的耐热性和稳定性,适合要求高效率和高可靠性的电路设计。
型号:JSM90N20P
类型:N沟道 MOSFET
电压(Vds):200V
电流(Id):9A
导通电阻(Rds(on)):0.18Ω(典型值,最大值为0.22Ω,测试条件为Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):35nC
输入电容(Ciss):1540pF
开关时间:t_on=36ns,t_off=17ns
封装形式:TO-220
工作温度范围:-55℃至+150℃
JSM90N20P具有以下显著特性:
1. 高击穿电压(200V),使其能够在高压环境下稳定工作。
2. 极低的导通电阻(0.18Ω),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
3. 快速开关能力,确保在高频应用中的高效性能。
4. 较小的栅极电荷和输入电容,降低了驱动功耗。
5. 优异的热稳定性,可承受较高的结温,延长使用寿命。
6. TO-220封装提供了良好的散热性能和机械强度。
7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
JSM90N20P广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器和升降压电路中的功率开关。
3. 各类电机驱动电路中的功率级控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
5. 工业设备中的功率管理和信号调节。
6. 充电器、适配器以及其他便携式电子产品的电源模块。
7. 过流保护和短路保护电路。
JSM90N20P的可能替代型号包括:
IRFZ44N
FQP16N20
STP90NF20
IXTH90N20T2