时间：2025/6/24 15:58:01
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JSM65N08D是一款N沟道MOSFET晶体管，适用于多种开关和功率管理应用。该器件采用了先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。其耐压值为80V，非常适合在汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中漏源电压：80V
连续漏极电流：65A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：130nC
总电容：4200pF
功耗：325W
工作温度范围：-55℃至150℃
JSM65N08D具有低导通电阻和快速开关速度的特点，这使得它非常适合高频开关应用。同时，它的高雪崩能量能力和热稳定性也使其能够在严苛环境下可靠运行。
此外，该器件采用TO-247封装形式，提供了良好的散热性能，有助于进一步提升系统的整体效率与可靠性。
这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动器、电源供应器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等场景。由于其出色的电气性能和热性能，JSM65N08D在需要高效能和高可靠性的设计中表现出色。
IRFZ44N
STP65NF08L
FDP65N08A
