时间：2025/7/4 4:19:34
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JSM4N60C是一款高压N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频应用中提供高效能表现。其额定电压为600V，能够承受较高的漏源电压，适用于多种工业及消费类电子设备。
最大漏源电压：600V
最大连续漏电流：4A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：1.3Ω
总功耗：27W
结温范围：-55℃至+150℃
JSM4N60C采用了先进的制造工艺，具备以下特点：
1. 高击穿电压：能够承受高达600V的漏源电压，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻：典型值仅为1.3Ω，在大电流应用中减少功率损耗。
3. 快速开关能力：优化的电荷设计使其具有较低的输入电容和输出电容，适合高频开关应用。
4. 热稳定性：工作温度范围宽广，可适应各种恶劣环境条件。
5. 小型封装：通常采用TO-220或DPAK等标准封装形式，节省PCB空间。
6. 高可靠性：经过严格的质量测试，保证长期使用中的稳定性与一致性。
JSM4N60C主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：
- 能够作为主开关管或同步整流管，提高效率。
2. 电机驱动：
- 控制直流无刷电机或其他类型电机的启停和调速。
3. 逆变器：
- 在光伏逆变器或UPS系统中作为关键功率器件。
4. LED照明：
- 提供高效的电流控制以实现亮度调节。
5. 电池保护：
- 用于防止过充、过放以及短路等异常情况。
IRF840
STP4NB60Z
FDP047N60S
