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2N5551C FE 发布时间 时间:2025/8/16 19:25:27 查看 阅读:2

2N5551C FE 是一款常用的NPN型高频晶体管,广泛用于射频(RF)和中频(IF)放大电路中。该晶体管采用TO-92封装,具备良好的高频性能和稳定性,适用于通信设备、放大器模块以及消费类电子产品中的高频信号处理。

参数

类型:NPN型晶体管
  封装形式:TO-92
  最大集电极电流(Ic):150 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):150 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):150 V
  最大功耗(Ptot):300 mW
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  增益带宽积(fT):100 MHz
  电流增益(hFE):在Ic=2 mA, Vce=5V时,典型值为80

特性

2N5551C FE 具备优异的高频响应能力,适合用于射频和中频放大器的设计。其高击穿电压(Vceo为150V)使其适用于高压应用环境。晶体管的增益带宽积高达100 MHz,确保在高频条件下仍能保持良好的放大性能。此外,该器件的封装形式紧凑,便于安装和集成于各类电路板中,适用于自动插件和焊接工艺。
  这款晶体管还具有良好的热稳定性和较低的噪声系数,适合用于前置放大器和信号增强电路。其hFE值在典型工作条件下保持稳定,确保放大电路的线性度和可靠性。2N5551C FE 的制造工艺符合行业标准,具备良好的互换性和一致性,便于大规模生产中的使用。

应用

2N5551C FE 主要应用于射频放大器、中频放大器、前置放大器、音频放大电路、电压调节器以及各类消费类电子设备中。它也常用于低功率高频信号放大,如无线通信模块、调制解调器、天线信号增强器等。由于其高电压耐受能力,该晶体管也可用于高压开关电路和需要较高耐压的电子系统中。

替代型号

BC547C, 2N3904, 2N2222A

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