时间：2025/7/3 17:21:10
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JSM15N65F是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型器件。该型号通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和各种功率转换电路中，具有高击穿电压和低导通电阻的特点，能够满足高效能功率管理的需求。
JSM15N65F通过优化的制造工艺，能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗和导通损耗，从而提升整体系统的效率和可靠性。其封装形式通常为TO-247或TO-220，具体取决于制造商的设计需求。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：15A
栅极阈值电压：3V~5V
导通电阻（典型值）：0.18Ω
总功耗：260W
工作结温范围：-55℃~175℃
封装形式：TO-247/TO-220
JSM15N65F的主要特点是其高耐压能力，可以承受高达650V的漏源电压，非常适合应用于高压环境下的功率控制。
其次，它的导通电阻相对较低，在额定电流条件下能够显著减少传导损耗，提高系统效率。
此外，该器件还具备快速开关速度，降低了开关过程中的能量损失，并且内置了ESD保护功能以提高抗干扰能力。
JSM15N65F的工作温度范围较宽，从-55℃到175℃，确保在极端环境下也能稳定运行。
JSM15N65F广泛应用于需要高效功率控制的场景，包括但不限于开关电源（SMPS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动控制器、工业自动化设备以及各类高压转换电路。
在这些应用中，它凭借其高耐压和低导通电阻的特性，成为实现高性能功率管理的理想选择。
JSM15N65C,
IRFP460,
FQA15N65,
STP15NK65Z
