时间：2025/8/23 0:17:45
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SKT110F10DV 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，主要用于高功率和高频应用。该器件具有优异的导通性能和低开关损耗，适合用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等工业和消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：110A
导通电阻(Rds(on))：约5.8mΩ（典型值）
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
SKT110F10DV 的主要特性包括低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高效率；其高电流容量（110A）使其适用于高功率应用场景；器件设计支持高速开关，从而减少了开关损耗，提高了系统的响应速度。此外，该MOSFET采用了先进的封装技术，确保了良好的热管理和散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。
为了确保器件的长期可靠性，SKT110F10DV 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力。它在设计上优化了热阻特性，使得在高负载条件下依然能够保持较低的结温。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于对环境要求较高的产品设计。
SKT110F10DV 适用于多种高功率和高频率的电子系统，包括但不限于工业电源、DC-DC转换器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等。在电机控制应用中，该MOSFET可以作为主开关器件，用于高效地控制电机的运行状态；在电源管理系统中，它能够提高能源利用效率，减少热量产生，从而提升整体系统性能。由于其良好的热稳定性和高电流处理能力，该器件也常被用于需要高可靠性的汽车电子和工业自动化设备中。
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"TKA110F10D",
"TKA110F10DV",
"TKA110F10W"
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