时间：2025/6/27 12:29:37
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JSM13N50C是一款高压N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动和其他需要高电压切换的应用场景。该器件采用TO-247封装，具有较低的导通电阻和良好的开关特性，能够在高频条件下高效运行。
这款MOSFET的主要特点是其高耐压能力，额定电压高达500V，同时保持较低的导通电阻以减少功率损耗。此外，它还具备较高的雪崩能量能力，确保在异常工作条件下的可靠性。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：13A
导通电阻（典型值）：1.8Ω
栅极阈值电压：4V
总功耗：210W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
JSM13N50C具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达500V的漏源电压，适用于高压环境下的电路设计。
2. 较低的导通电阻（典型值为1.8Ω），有助于降低功率损耗并提高整体效率。
3. 快速开关性能，适合高频应用场合。
4. 良好的雪崩能量能力，增强器件在过载或异常情况下的可靠性。
5. 广泛的工作温度范围（-55℃至+150℃），使其能够适应各种极端环境。
6. TO-247封装提供优异的散热性能，便于安装和维护。
JSM13N50C适用于多种高压电子设备，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，用于高效电能转换。
2. 逆变器电路，支持可再生能源系统如太阳能逆变器。
3. 电机驱动控制，特别是在工业自动化和家用电器中。
4. UPS（不间断电源）系统中的关键开关元件。
5. 各类高压电子负载保护和切换功能。
IRFP460, STP17NF50, FQA13N50C
