KF5N53FS KF5N53是一款N沟道增强型功率MOSFET,常用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用先进的平面技术,具有高耐压、大电流能力和较低的导通电阻特性,适用于多种高效率和高性能的电子系统。KF5N53FS通常用于电源转换、电机驱动和开关电源应用中,具备较高的可靠性和稳定性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):500V
最大漏极电流(Id):5A
导通电阻(Rds(on)):典型值为2.5Ω
栅极电压(Vgs):±30V
功率耗散(Pd):50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220
KF5N53FS KF5N53具有多种显著特性,使其在电源管理和功率电子系统中表现优异。首先,其高耐压能力(最大500V)使其适用于高电压输入环境,例如开关电源和工业电机控制系统。其次,低导通电阻(Rds(on))有助于减少导通损耗,提高整体系统的能效。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性和过载保护能力,能够在高温条件下稳定运行。其TO-220封装设计不仅便于安装和散热管理,还增强了器件的机械稳定性和可靠性。最后,该器件的栅极驱动电压范围较宽(±30V),能够适应多种驱动电路的设计需求,从而提高设计灵活性。
KF5N53FS KF5N53广泛应用于多个领域,包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明系统、家用电器控制电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。在这些应用中,该MOSFET能够提供高效的能量转换、可靠的开关性能以及良好的热管理特性。
IRF840, 2SK2647, FQP5N50, 2SK2212