时间：2025/6/24 8:31:12
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JSM100N08C是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特性，广泛应用于电源适配器、电池充电器、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。
该器件为N沟道增强型MOSFET，其额定电压为80V，能够满足大多数中低压应用场景的需求。同时，JSM100N08C优化了动态性能和静态性能之间的平衡，从而在高频开关条件下实现更高的效率。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：100A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：2500pF
最大功耗：360W
结温范围：-55℃ to 175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了高效的能量传输，并显著减少了功率损耗。
2. 高开关速度支持高频操作，适合现代电子设备对紧凑设计和高效率的要求。
3. 良好的雪崩能力和鲁棒性使该器件能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
4. 小尺寸封装有助于节省电路板空间，同时提供了优秀的散热性能。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到各种系统中。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 通信电源
6. 工业自动化设备中的功率开关
IRF840, FDP5600, STP100N06LL
