您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > JS28F640P30BF75D

JS28F640P30BF75D 发布时间 时间:2025/12/27 3:46:53 查看 阅读:11

JS28F640P30BF75D 是英特尔(Intel)推出的一款NOR型闪存芯片,属于其StrataFlash? Embedded Memory家族中的高性能产品。该器件采用先进的48nm制造工艺,具备高密度存储能力与快速读取性能,广泛应用于需要可靠、非易失性存储解决方案的嵌入式系统中。JS28F640P30BF75D 提供64MByte(512Mbit)的存储容量,组织方式为按字节或字访问的存储阵列,支持多种低功耗模式,适用于对功耗敏感的应用场景。该芯片支持两种主要操作模式:读取模式和编程/擦除模式,通过命令接口实现对存储单元的写入和擦除功能。其内部集成了状态机,能够自动完成复杂的编程与块擦除操作,减轻主控制器的负担。此外,该器件具备较高的耐久性和数据保持能力,典型情况下可支持10万次编程/擦除周期,并能保证在工业温度范围内长期稳定运行。封装形式为64引脚FBGA,尺寸紧凑,适合高密度PCB布局设计。该芯片常用于网络设备、工业控制系统、医疗仪器以及车载电子系统等对数据可靠性要求较高的领域。
  由于该型号为英特尔较早时期的产品系列,目前可能已进入停产或过渡阶段,但在许多现有系统中仍具有重要应用价值。制造商提供了完整的数据手册和技术支持文档,便于开发者进行硬件接口设计与固件开发。该芯片兼容JEDEC标准接口规范,支持与多种微处理器和微控制器直接连接,无需额外的逻辑转换电路。整体而言,JS28F640P30BF75D 是一款成熟可靠的高性能嵌入式闪存解决方案,适用于需要高速、低延迟和高可靠性的非易失性存储应用场景。

参数

品牌:Intel
  类型:NOR Flash
  容量:512 Mbit
  电压:2.7V ~ 3.6V
  工作温度:-40℃ ~ +85℃
  封装:64-FBGA (8x11)
  组织结构:64M x 8-bit / 32M x 16-bit
  访问时间:75ns
  接口类型:并行异步
  编程电压:内部电荷泵生成
  待机电流:≤15μA
  编程/擦除耐久性:100,000次
  数据保持时间:10年(典型)
  是否支持多平面操作:是
  是否支持软件数据保护:是

特性

JS28F640P30BF75D 具备多项先进的技术特性,使其成为嵌入式系统中理想的非易失性存储选择。首先,该芯片采用英特尔专有的StrataFlash技术,能够在单个存储单元中存储多个位的信息,从而提高存储密度而不牺牲可靠性。这种多层存储架构结合优化的编程算法,显著提升了写入效率和整体性能。其次,该器件内置高效的电荷泵电路,可在标准I/O电压下完成编程和擦除操作,无需外部高压电源,简化了系统电源设计,降低了整体成本。此外,芯片支持块锁定(Block Locking)功能,允许用户通过软件指令保护特定地址区域免受意外写入或擦除,增强了数据安全性。
  在性能方面,JS28F640P30BF75D 提供75ns的快速访问时间,支持全宽度随机读取操作,满足实时系统对低延迟响应的需求。其支持异步SRAM-like接口,可直接挂接在微处理器的存储总线上,实现无缝对接。该器件还具备高级电源管理功能,包括自动待机模式和深度掉电模式,在空闲状态下大幅降低功耗,适用于电池供电或绿色节能设备。
  从可靠性角度看,JS28F640P30BF75D 经过严格测试,可在宽温范围(-40°C 至 +85°C)内稳定工作,符合工业级应用标准。其具备强大的抗干扰能力和错误恢复机制,即使在恶劣电磁环境中也能确保数据完整性。每个芯片出厂前都经过全面测试,坏块率极低,并提供冗余块用于替换潜在缺陷单元。此外,支持ECC校验和底层驱动支持,进一步提升系统的鲁棒性。
  该芯片还集成智能写入状态检测功能,可通过查询寄存器获取编程或擦除操作的状态信息,避免盲目等待,提高系统效率。支持批量擦除和扇区擦除两种模式,灵活适应不同应用场景的数据管理需求。最后,其64引脚FBGA封装具有良好的热性能和机械稳定性,适合自动化贴片生产,有助于提升制造良率和产品一致性。

应用

JS28F640P30BF75D 被广泛应用于多种需要高性能、高可靠性和非易失性存储的嵌入式系统中。在通信设备领域,它常用于路由器、交换机和基站控制模块中,用于存储固件、配置参数和启动代码,因其快速启动能力和高耐用性,能有效保障网络设备的持续运行。在工业自动化系统中,该芯片被集成于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和远程I/O模块中,用于保存程序代码和关键运行数据,在断电后仍能可靠保留信息,确保系统重启后的正常运行。
  在汽车电子方面,JS28F640P30BF75D 可用于车身控制模块(BCM)、仪表盘系统和车载信息娱乐系统中,存储操作系统映像、诊断数据和用户设置,其宽温特性和抗振动能力满足车规级环境要求。医疗设备如便携式监护仪、超声成像系统和病人管理系统也采用该芯片来存储启动程序和校准数据,确保设备在各种临床环境下稳定运行。
  此外,在军事与航空航天领域,该器件凭借其高可靠性与长寿命,被用于飞行控制系统、雷达信号处理单元和卫星通信终端中,承担关键数据的存储任务。消费类高端设备如数字电视、机顶盒和智能家电中也有应用,主要用于存放引导程序和系统更新包。得益于其并行接口和快速读取特性,该芯片特别适合需要XIP(eXecute In Place)执行的应用场景,即CPU直接从闪存中执行代码,减少对外部RAM的依赖,从而优化系统资源分配和降低成本。

替代型号

MT28EW01GABA1LPC

JS28F640P30BF75D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

JS28F640P30BF75D参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列StrataFlash?
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织4M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率40 MHz
  • 写周期时间 - 字,页75ns
  • 访问时间75 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 2V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装56-TSOP