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2SK3054 发布时间 时间:2025/6/28 14:07:40 查看 阅读:7

2SK3054 是一种 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),主要应用于高频和高效率的功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热性能,广泛适用于射频放大器、DC-DC 转换器以及其他需要高性能功率开关的场合。
  该型号属于 Toshiba 公司的 MOSFET 系列,适合要求低损耗和高可靠性的应用环境。

参数

最大漏源电压:70V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:8A
  导通电阻:0.16Ω
  输入电容:490pF
  总功耗:45W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

2SK3054 的关键特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提升整体效率。
  2. 快速开关能力,使得其在高频电路中的表现尤为突出。
  3. 高击穿电压设计,确保了其在各种恶劣条件下的可靠性。
  4. 较小的输入输出电容,降低了开关过程中的能量损失。
  5. 工作温度范围宽广,适应从低温到高温的各种应用场景。
  6. 高度稳定的电气性能,适合长时间运行且对稳定性要求较高的设备。
  由于这些特点,2SK3054 成为众多工程师在设计高频功率电路时的理想选择。

应用

2SK3054 广泛应用于以下领域:
  1. 射频功率放大器,特别是在业余无线电通信设备中。
  2. 高效 DC-DC 转换器和逆变器。
  3. 开关电源模块,用于笔记本电脑适配器或工业控制设备。
  4. 电机驱动电路,尤其是小型直流电机的控制。
  5. 各类高频滤波和信号处理电路。
  6. 在汽车电子系统中,用作负载切换或保护元件。
  这种 MOSFET 的高性能使其非常适合需要快速响应和高效能量转换的应用场景。

替代型号

2SK2919, IRF540N, BUZ11

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