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JS28F640J3D75D 发布时间 时间:2025/12/26 16:12:44 查看 阅读:11

Intel JS28F640J3D75D 是一款由英特尔(Intel)公司推出的NOR型闪存芯片,属于其第一代StrataFlash? Embedded Memory Technology产品线。该器件采用先进的MirrorBit?技术制造,能够在单个存储单元中存储两个独立的比特信息,从而在不增加芯片面积的情况下实现存储密度的翻倍。JS28F640J3D75D 的存储容量为64兆位(Mb),组织形式为4 M x16位或8 M x8位,适用于需要高可靠性、快速随机访问和代码执行能力的应用场景。该芯片广泛应用于工业控制、通信设备、网络基础设施以及嵌入式系统中。它支持多种读写操作模式,包括异步读取、页编程和块擦除等,并具备较高的耐久性和数据保持能力。此外,该器件集成了智能电源管理功能,可在不同的工作模式下优化功耗表现,适合对能效有要求的设计。JS28F640J3D75D 采用标准的48引脚TSOP封装或48球BGA封装,兼容主流微处理器和控制器接口,便于系统集成与升级。
  该芯片的工作电压范围通常为2.7V至3.6V,支持宽温度范围工业级应用(-40°C 至 +85°C),确保在恶劣环境下的稳定运行。其内置的状态机可自动完成编程和擦除操作,减轻主控处理器负担。同时,器件支持硬件写保护机制,防止意外修改关键代码区域。Intel为该系列提供了完整的软件支持包,包括驱动程序、固件库和开发工具,帮助开发者快速实现启动代码加载、现场固件更新(FOTA)等功能。尽管该型号已逐步进入停产阶段,但在许多现有系统中仍具有重要地位,并被广泛用于替代早期的并行NOR Flash产品。

参数

品牌:Intel
  类型:NOR Flash
  容量:64 Mbit
  组织结构:4M x16 / 8M x8
  工艺技术:MirrorBit
  封装形式:48-TSOP, 48-BGA
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  访问时间:75ns
  接口类型:并行
  写使能:支持
  擦除方式:扇区/整片擦除
  编程电压:内部电荷泵生成
  待机功耗:典型值50μA
  读取电流:典型值25mA
  编程/擦除耐久性:100,000次
  数据保持时间:10年
  总线宽度可配置:是
  硬件写保护:支持
  状态轮询支持:是

特性

JS28F640J3D75D 采用英特尔独有的MirrorBit? 技术,这是其最核心的技术优势之一。该技术通过在每个存储单元中利用电荷陷阱层存储两个独立的数据位——分别位于源极侧和漏极侧,实现了物理上双比特存储的能力。这种创新结构不仅提升了存储密度,还降低了单位成本,同时避免了传统浮栅技术中常见的电子隧穿损耗问题,增强了器件的可靠性和寿命。由于每个位的读取是基于方向性的电流检测,因此可以独立地进行编程和擦除操作,而不会影响相邻位的状态。这一特性使得该芯片特别适合需要频繁更新部分代码或配置数据的应用环境。
  该器件具备出色的性能表现,其75纳秒的访问时间能够满足大多数实时系统的快速响应需求。在读取模式下,芯片支持全地址空间的随机访问,允许处理器直接从Flash中执行代码(XIP, eXecute In Place),显著减少对外部RAM的依赖,降低系统复杂度和成本。对于写入操作,JS28F640J3D75D 内置了智能算法控制的内部电荷泵,无需外部高压电源即可完成编程和擦除任务,简化了电源设计。编程操作以字(word)为单位进行,而擦除则按扇区(sector)或整片方式进行,扇区大小灵活可选,有助于实现精细化的数据管理。
  在可靠性方面,该芯片经过严格测试,保证至少10万次的编程/擦除周期,并能在断电情况下保持数据长达10年以上,适用于长期部署且维护困难的工业现场设备。此外,其支持硬件写保护功能,可通过特定引脚锁定部分或全部存储区域,防止因异常复位、软件错误或恶意攻击导致的关键代码损坏。状态轮询机制允许主机查询当前操作进度,提高系统调度效率。整体设计符合工业级标准,在极端温度、湿度和电磁干扰环境下均能稳定工作,展现出卓越的环境适应能力。

应用

JS28F640J3D75D 主要应用于对稳定性、可靠性和代码执行速度有较高要求的嵌入式系统中。在工业自动化领域,它常被用作PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和远程I/O模块中的固件存储器,用于保存操作系统映像、用户程序和配置参数。在网络通信设备中,如路由器、交换机和基站控制器,该芯片承担着引导加载程序(Bootloader)的存储任务,确保设备上电后能够迅速初始化并加载主系统软件。其快速读取能力和XIP特性使其成为无盘启动架构的理想选择。
  在消费类高端设备中,例如数字机顶盒、智能电视和多媒体播放器,JS28F640J3D75D 可用于存放初始启动代码和基本驱动程序,配合大容量NAND Flash共同构建混合存储方案。汽车电子系统也广泛采用此类NOR Flash,用于存储发动机控制单元(ECU)、车载信息娱乐系统(IVI)和ADAS(高级驾驶辅助系统)中的可信启动代码,保障车辆安全启动和运行。此外,在医疗仪器、测试测量设备和航空电子设备中,该芯片凭借其高可靠性和长生命周期支持,成为关键数据和诊断程序的首选非易失性存储解决方案。随着物联网的发展,一些边缘计算节点和智能传感器也开始使用该类器件来实现本地固件存储和远程固件升级(FOTA)。虽然新型串行NOR Flash正在逐渐取代部分并行产品,但JS28F640J3D75D 在需要高带宽并行接口的老平台中仍然具有不可替代的地位。

替代型号

S29GL064N90TFIR2
  S29GL064N90TFI40
  MT28EW064ABA1LPC-0S3E
  IS26GV064A-7T

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JS28F640J3D75D参数

  • 标准包装1,600
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列StrataFlash™
  • 格式 - 存储器闪存
  • 存储器类型闪存 - 或非
  • 存储容量64M(8M x 8,4M x 16)
  • 速度75ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商设备封装56-TSOP(18.4x14)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称876722876722TR876722TR-NDJS28F640J3D75 S L8YPJS28F640J3D75DTR