制造商：Intel
　　系列：StrataFlash? Embedded Memory Technology 2
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：256 Mbit
　　存储结构：16M x 16
　　接口类型：并行（Async）
　　时钟频率：最大可支持100 MHz总线速率
　　电源电压 - 核心：1.7V ~ 1.9V
　　电源电压 - I/O：1.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：64-FBGA（7x10mm）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　访问时间：约70ns（典型值）
　　读取电流：典型值 25mA（在100MHz）
　　待机电流：典型值 10μA
　　写入/擦除耐久性：10万次（典型）
　　数据保持时间：10年（最小）
　　JEDEC标准：符合工业级可靠性规范

JS28F256M29EWHB 具备多项先进的技术特性，使其在复杂的嵌入式环境中表现出色。首先，该芯片采用了英特尔独有的StrataFlash? 技术，能够在单个存储单元中存储多位数据，从而提升存储密度而不牺牲可靠性。这种多层架构不仅提高了数据吞吐效率，还优化了成本效益，尤其适合对存储容量有较高要求但又受限于PCB面积的设计。
　　其次，该器件支持异步接口协议，提供灵活的地址/数据复用或非复用模式，允许与多种微处理器和微控制器无缝对接。其高速访问时间（典型70ns）确保了快速的代码执行能力，适用于需要实时响应的应用场景，如路由器固件加载、工业PLC程序运行等。
　　再者，JS28F256M29EWHB 内置智能命令集和状态机逻辑，支持块擦除、整片擦除、按字节/字编程等功能，并可通过查询状态位实现操作完成检测，提升了系统软件开发的便利性。同时，芯片具备强大的错误管理机制，包括写入锁定（Write Lock-down）、扇区保护和临时挂起功能，可在执行擦除操作时暂停并响应高优先级读取请求，保障系统稳定性。
　　此外，该器件通过严格的工业级认证，具备优异的抗干扰能力和温度适应性，可在-40°C至+85°C范围内稳定工作，满足严苛环境下的长期运行需求。其封装采用环保材料，符合RoHS指令要求，支持无铅焊接工艺，便于现代自动化生产流程集成。整体而言，这些特性使JS28F256M29EWHB 成为高可靠性嵌入式系统中不可或缺的关键组件。

JS28F256M29EWHB 被广泛应用于多个高端工业和技术领域。在通信基础设施方面，它常用于路由器、交换机、基站控制器等设备中作为固件存储介质，支持快速启动和可靠的远程升级功能。其高速读取性能确保操作系统和协议栈能够迅速加载，提升设备响应速度和服务质量。
　　在工业控制系统中，该芯片被集成于可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）和远程终端单元（RTU）中，用于保存配置参数、控制程序和校准数据。由于其具备出色的耐久性和数据保持能力，即使在频繁断电重启或高温环境下也能保证数据完整性。
　　在汽车电子领域，JS28F256M29EWHB 可用于车载信息娱乐系统（IVI）、车身控制模块（BCM）和高级驾驶辅助系统（ADAS）中的引导程序存储。其宽温特性和抗振动设计符合汽车行业对可靠性的严格要求。
　　此外，在医疗设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中，该器件也发挥着重要作用，承担关键代码和配置信息的非易失性存储任务。得益于其小尺寸封装和低功耗特性，JS28F256M29EWHB 特别适合便携式设备和边缘计算节点的应用场景，为系统提供了高效、稳定的存储支持。

MT28EW256ABA1LPC-0SIT
　　S29GL256S_0_Sxxxxxx
　　CY16B128NV18