型号：JS28F160C3BD70
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：16 Mbit（2 MB）
　　组织结构：2 x 8 Mbit
　　工艺技术：StrataFlash Embedded Memory Technology
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　封装形式：48-pin TSOP Type I
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　访问时间：70ns
　　接口类型：并行接口（x16或x8可配置）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写保护功能：硬件WP#引脚支持
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　编程方式：字/缓冲编程
　　可靠性：耐久性10万次编程/擦除周期，数据保持时间超过100年

JS28F160C3BD70采用英特尔专有的StrataFlash技术，这是一种增强型NOR闪存架构，在传统ETOX（EPROM Tunnel Oxide）技术基础上进行了优化，显著提高了存储单元的编程速度和耐久性。该技术通过在单一存储单元中实现多电平存储能力（MLC），使得在不增加物理尺寸的前提下提升了有效存储密度。这种设计不仅降低了每比特成本，同时也维持了NOR Flash传统的快速随机访问优势，非常适合用于需要频繁执行就地执行（XIP, eXecute-In-Place）操作的嵌入式系统。芯片内部集成了智能算法，包括自动编程和自动擦除功能，用户只需发送命令序列即可完成相应操作，无需手动控制电压和时序细节，极大简化了软件开发复杂度。
　　该器件支持灵活的扇区架构，允许对存储空间进行细粒度管理。整个16Mbit阵列被划分为多个独立的扇区，每个扇区可以单独进行擦除和编程，这为固件更新、日志记录和参数保存等应用提供了便利。同时，硬件写保护引脚（WP#）可在外部防止意外修改关键区域内容，增强了系统的安全性。此外，芯片具备快速读取性能，典型访问时间为70纳秒，能够满足高速处理器直接从闪存中取指的需求，避免额外加载到RAM的开销。
　　为了确保长期运行的稳定性，JS28F160C3BD70具备出色的环境适应能力，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），适用于户外设备、车载系统和工厂自动化等严苛应用场景。其数据保持能力超过100年，经过验证可承受至少10万次的编程/擦除循环，远超一般消费类存储器的标准。内置的内部电荷泵负责生成编程所需的高压，无需外部提供高电压电源，简化了电源设计。整体设计注重可靠性与易用性，是工业和通信领域中可靠的非易失性存储解决方案。

JS28F160C3BD70主要用于需要高可靠性和快速启动能力的嵌入式系统中。常见应用包括网络路由器、交换机和其他通信基础设施设备，其中该芯片用于存储引导程序（Bootloader）、操作系统映像以及配置文件。因其支持就地执行（XIP）功能，CPU可以直接从闪存中运行代码，减少对外部RAM的依赖，从而降低系统整体成本和功耗。在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程终端单元（RTU），该芯片用于存储控制逻辑、参数设置和故障日志，确保即使在断电情况下也能保留关键信息。
　　此外，该器件也广泛应用于医疗设备、测试仪器和军事电子系统中，这些领域对数据完整性和环境适应性有极高要求。例如，在便携式医疗监测仪中，JS28F160C3BD70可用于存储设备固件和患者数据记录，其长寿命和高耐久性保障了设备在整个生命周期内的稳定运行。在车载电子系统中，如车载通信模块和车身控制模块，该芯片可在宽温条件下可靠工作，适应车辆在极端气候下的运行需求。
　　由于其并行接口特性，JS28F160C3BD70特别适合与传统微控制器或DSP配合使用，尤其在尚未迁移到SPI/QSPI接口的旧有平台中仍具有重要地位。尽管近年来串行闪存因引脚数少、封装小而逐渐流行，但在需要高吞吐量和低延迟访问的应用中，并行NOR Flash仍然不可替代。因此，该芯片在持续维护和升级的工业设备、军工项目及特定定制化系统中仍保有稳定的市场需求。

S29GL128P_70_4C_EGH1