您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > JS28F128P30BF75A

JS28F128P30BF75A 发布时间 时间:2025/12/27 2:54:33 查看 阅读:10

JS28F128P30BF75A 是一款由Intel(现为Skyworks Solutions, Inc. 旗下品牌)推出的高性能、低功耗的并行接口闪存芯片,属于其第一代NOR Flash产品系列中的StrataFlash? Architecture存储器。该器件采用先进的MirrorBit? 技术,能够在单个晶体管上存储两个比特的数据,从而显著提高了存储密度并降低了每兆位的成本。JS28F128P30BF75A 提供128 Megabit(即16 Megabyte)的存储容量,组织方式为64 Mbit x2 或等效的字节模式访问,适用于需要高可靠性和快速随机读取性能的应用场景。该芯片广泛用于工业控制、网络设备、通信基础设施以及嵌入式系统中,支持多种封装形式,其中BF75A通常代表BGA封装,具有较小的占板面积和良好的电气性能。器件工作电压为3.0V至3.6V,兼容低压CMOS电平,适合便携式和电池供电设备使用。此外,它具备高效的命令集架构,支持快速擦除和编程操作,并内置错误检测机制以增强数据完整性。JS28F128P30BF75A 还支持多平面操作,允许在不同存储块之间进行交错读写,提升整体吞吐效率。由于其出色的耐用性(典型擦写次数可达10万次)和长达20年的数据保持能力,该芯片在严苛环境下的长期稳定运行方面表现优异。

参数

制造商:Intel
  产品系列:StrataFlash? Architecture
  存储类型:NOR Flash
  存储容量:128 Mbit
  组织结构:64M x 2 / 32M x 4 / 16M x 8 / 8M x 16
  接口类型:并行
  电源电压:3.0V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:64-ball BGA (0.8mm pitch)
  读取访问时间:75ns
  编程时间(典型):4μs/word
  块擦除时间(典型):0.8s~1.5s
  待机电流(最大):20μA
  读取电流(典型):30mA
  编程/擦除电压:内部电荷泵生成

特性

JS28F128P30BF75A 采用独特的MirrorBit? 存储技术,这是其核心优势之一。该技术利用氮化硅作为电荷捕获层,在每个存储单元中可存储两个独立的比特信息,分别位于源极侧和漏极侧,实现了双位存储。这种结构不仅提升了存储密度,还降低了制造成本,同时保持了传统NOR Flash的高可靠性与快速随机访问能力。该器件支持StrataFlash? 的多层逻辑状态编程,可在不同的电压阈值下识别多个数据状态,增强了灵活性和兼容性。芯片内部集成电荷泵电路,可在标准3.3V电源下完成编程与擦除所需的高压生成,无需外部提供高压信号,简化了系统设计。
  其命令集遵循Common Flash Interface (CFI) 标准,便于与各类处理器和控制器实现无缝对接,并支持软件复位、全局擦除、扇区保护、VPP 检测等功能。为了提高系统安全性,JS28F128P30BF75A 提供硬件和软件两种写保护机制,防止意外写入或擦除关键代码区域。此外,器件具备高级电源管理模式,包括自动休眠和深度待机模式,显著降低静态功耗,延长电池寿命。
  在性能方面,75ns的快速读取访问时间使其非常适合执行XIP(eXecute-In-Place)应用,即直接从Flash中运行代码而无需加载到RAM,节省内存资源并加快启动速度。多平面架构允许在一个平面执行编程或擦除的同时,在另一个平面进行读取操作,实现真正的后台操作(Background Operation),极大提升了系统响应能力和整体效率。该芯片还具备优异的ESD防护能力和抗干扰设计,确保在复杂电磁环境中稳定运行。

应用

JS28F128P30BF75A 广泛应用于对数据可靠性、读取速度和长期稳定性要求较高的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络路由器、交换机、防火墙等通信设备,用于存储固件、引导程序(Bootloader)、操作系统镜像及配置文件。在工业自动化领域,该芯片常被用于PLC控制器、HMI人机界面、远程IO模块中,承载实时控制代码和工艺参数,确保断电后数据不丢失且能快速恢复运行。此外,在医疗设备如监护仪、便携式诊断仪器中,因其具备高耐用性和长达20年的数据保持能力,适合长期保存校准数据和设备日志。
  消费类高端产品如智能电视、机顶盒、数字视频录像机(DVR)也采用此类NOR Flash来实现快速开机和稳定的系统启动。在汽车电子中,尽管该型号非AEC-Q100认证,但在部分车载信息娱乐系统的辅助存储模块中仍有应用,特别是在需要直接执行代码的场合。军工与航空航天领域则利用其宽温特性和抗辐射设计(需配合外围电路),部署于地面站设备或飞行控制系统中。
  由于其并行接口提供了较高的传输带宽,特别适合与DSP、ARM9、PowerPC等老一代高性能处理器配合使用,弥补串行SPI Flash在吞吐量上的不足。随着物联网边缘节点设备的发展,虽然越来越多的设计转向串行接口以节省引脚数,但在需要高速、低延迟访问的场景下,JS28F128P30BF75A 依然具有不可替代的地位。

替代型号

MT28EW128ABA1LPC-0S3K

JS28F128P30BF75A推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

JS28F128P30BF75A资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

JS28F128P30BF75A参数

  • 标准包装576
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列Axcell™
  • 格式 - 存储器闪存
  • 存储器类型闪存 - 或非
  • 存储容量128M(8Mx16)
  • 速度75ns
  • 接口并联
  • 电源电压1.7 V ~ 2 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商设备封装56-TSOP(18.4x14)
  • 包装托盘