时间：2025/12/27 4:51:18
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JS28F128J3D75B TR 是一款由Intel（现为Skyworks Solutions, Inc. 旗下品牌）推出的128Mb（16MB）NOR闪存芯片，属于其成熟的StrataFlash?嵌入式存储器产品线。该器件采用先进的MirrorBit? 技术制造，能够在单个存储单元中存储两个比特的数据，从而在保持高性能的同时显著提高存储密度并降低每比特成本。这款芯片广泛应用于需要高可靠性、快速读取速度和长期数据保留能力的工业控制、网络设备、通信基础设施以及汽车电子系统中。JS28F128J3D75B TR 采用65nm工艺制程，具备出色的耐久性和数据保持能力，支持多种低功耗模式以适应便携式或节能型应用需求。封装形式为60引脚TSOP（Thin Small Outline Package），便于在空间受限的PCB设计中使用。TR后缀通常表示该器件以卷带包装（Tape and Reel）方式供货，适合自动化贴片生产线。该芯片支持x8/x16两种数据总线宽度操作模式，具备灵活的扇区架构，允许对存储阵列进行细粒度擦除和编程操作，从而优化固件更新过程中的写入效率。此外，它集成了内部状态机以简化外部控制器的管理负担，并提供硬件写保护功能以增强系统安全性。由于其稳定性和兼容性，JS28F128J3D75B TR 成为了许多嵌入式系统中首选的代码存储解决方案之一。
制造商：Intel
系列：StrataFlash? Embedded Memory
存储类型：NOR Flash
存储容量：128 Mbit
存储结构：16 M x 8 / 8 M x 16
接口类型：Parallel (ADMUX)
时钟频率：75 MHz
访问时间：75 ns
工作电压：2.7V ~ 3.6V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装形式：60-TSOP
包装方式：Tape & Reel (TR)
工艺技术：MirrorBit?
数据保持时间：100 年
擦写次数：100,000 次
总线宽度：8/16 位可配置
JS28F128J3D75B TR 所采用的MirrorBit? 技术是其核心优势之一，该技术通过在氮化物层中创建两个物理上独立的电荷存储区域，使得每个存储单元可以存储两个独立的比特信息，这不仅提升了存储密度，还降低了单位成本，同时维持了传统NOR闪存的高速读取性能与随机访问能力。这种技术相较于传统的浮栅NOR闪存，在相同工艺节点下实现了更高的集成度，并且具有更好的数据保持能力和抗干扰性能。该器件支持x8/x16总线宽度切换，能够兼容多种微处理器和控制器接口标准，增强了系统设计的灵活性。其75ns的访问时间确保了快速指令执行，特别适用于需要从闪存直接运行代码（XIP, eXecute In Place）的应用场景。
该芯片内置智能算法控制逻辑，包括自动擦除、编程确认和错误检测机制，减轻了主控MCU的负担。它提供多种低功耗模式，如待机模式和深度掉电模式，有助于延长电池供电设备的续航时间。安全方面，JS28F128J3D75B TR 支持硬件写保护和软件写保护机制，防止意外或恶意修改关键固件。其扇区架构包含多个可独立擦除的小扇区（如8KB小块）和大扇区（64KB），便于实现增量更新和日志记录功能。此外，该器件符合工业级温度要求（-40°C 至 +85°C），可在恶劣环境下稳定运行，并通过了严格的可靠性测试，包括高温老化、湿度敏感性和ESD防护等。整体而言，该芯片在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，适合用于路由器、交换机、PLC、医疗设备及车载信息娱乐系统等对稳定性要求较高的场合。
JS28F128J3D75B TR 主要应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在通信领域，常用于路由器、交换机、基站控制器等网络设备中作为固件存储介质，支持快速启动和现场升级。在工业自动化系统中，该芯片被广泛用于可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）和远程终端单元（RTU），用于保存配置参数、控制程序和诊断日志。汽车电子方面，适用于车载导航系统、仪表盘控制模块、车身控制模块（BCM）以及高级驾驶辅助系统（ADAS）中的代码存储需求，尤其适合那些需满足AEC-Q100可靠性标准的设计。消费类电子产品如高端打印机、数字视频录像机（DVR）、智能家居网关也常采用此类NOR Flash来实现稳定的启动引导和操作系统存储。此外，在医疗设备中，因其具备长达100年的数据保持能力和高达10万次的擦写寿命，可用于存储校准数据、设备序列号和固件版本信息。得益于其宽温工作范围和高抗干扰能力，该器件同样适用于户外监控设备、电力监控装置和轨道交通控制系统等严苛环境下的应用场景。
MT28EW128ABA1LPC-0S3E:R
M29W128GL7AN6EY
S29GL128P_70_0627
