品牌：Intel
　　类型：NOR Flash
　　容量：512 Mbit（64MB）
　　组织结构：64M x8 / 32M x16
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　接口类型：并行（x8/x16）
　　访问时间：70ns / 90ns 可选
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：56-ball FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
　　写入耐久性：100,000 次编程/擦除周期
　　数据保持时间：超过 20 年
　　擦除方式：扇区或整片擦除
　　编程方式：字节或字编程
　　总线宽度：可配置为8位或16位模式
　　制造商工艺：C3工艺技术
　　安全特性：支持硬件写保护、软件锁存功能
　　可靠性：具备ECC纠错支持、坏块管理机制

JS28F00AM29EWHE 具备卓越的多平面架构设计，允许同时对多个存储平面进行读写和擦除操作，显著提升了整体吞吐效率。这种并行处理能力使其在执行大体积固件更新或频繁的数据日志记录时表现优异。芯片内部划分为多个独立的可擦除扇区，支持细粒度管理，用户可以选择仅擦除特定区域而不影响其他数据，从而延长器件寿命并优化系统性能。其内置的命令用户接口（Command User Interface, CUI）支持标准JEDEC指令集，兼容性强，易于与各类微控制器和处理器对接。该器件还配备了智能电源管理模式，在待机或低功耗状态下自动降低电流消耗，适合电池供电或能效敏感的应用场景。
　　在可靠性方面，JS28F00AM29EWHE 采用了强化的氧化层技术和先进的电荷捕获结构，确保在极端温度条件下仍能维持稳定的数据存储。器件支持硬件级写保护引脚，防止意外写入或擦除关键代码区域，提升系统安全性。此外，通过软件命令可实现锁定特定扇区的功能，进一步增强数据防护能力。该芯片具备内建的错误检测与纠正码（ECC）支持，能够在读取过程中识别并标记潜在的数据错误，配合外部控制器实现更高的数据完整性保障。对于嵌入式启动应用，其快速随机访问时间（低至70ns）使得CPU可以直接从Flash中执行代码（XIP, eXecute In Place），减少对外部RAM的依赖，简化系统架构。
　　封装方面，56-ball FBGA的设计不仅节省PCB空间，还提供了良好的散热性能和电气连接稳定性，适用于高密度布局的现代电路板设计。该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保。由于采用C3工艺制造，JS28F00AM29EWHE 在制造一致性、缺陷率控制和长期供货稳定性方面均有出色表现。虽然目前英特尔已将NOR Flash产品线转移至镁光，但该型号的技术文档、应用笔记和支持资源依然丰富，便于开发者进行调试与维护。

JS28F00AM29EWHE 广泛应用于对数据可靠性和系统稳定性要求极高的工业与通信领域。在工业自动化控制系统中，常用于存储PLC的启动程序、配置参数和运行日志，其宽温特性和抗干扰能力确保在恶劣工厂环境中长期稳定运行。在网络设备如路由器、交换机和防火墙中，该芯片承担着Bootloader、操作系统镜像和配置文件的存储任务，支持快速启动和可靠的固件恢复机制。在电信基础设施中，包括基站控制器和传输设备，JS28F00AM29EWHE 被用来保存关键的通信协议栈和校准数据，保障不间断服务。汽车电子系统中，例如高级驾驶辅助系统（ADAS）模块、车载信息娱乐系统（IVI）和车身控制单元（BCM），该器件用于存储启动代码和车辆个性化设置，满足AEC-Q100相关可靠性标准的部分要求。此外，在医疗设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中，因其高耐久性和长期数据保持能力，也成为首选的非易失性存储解决方案之一。得益于其x8/x16双模式接口灵活性，能够适配不同主控平台，无论是基于ARM、Power Architecture还是MIPS架构的处理器系统，均可无缝集成。同时，该芯片支持现场固件升级（FOTA），便于远程维护和功能扩展，适应现代智能化设备的发展需求。

MT28EW01GABA1LWS