时间：2025/10/22 10:38:00
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JR28F064M29EWLB TR是一款由Intel（现为Skyworks Solutions, Inc.旗下品牌）推出的高性能、低功耗的并行接口NOR闪存芯片，广泛应用于工业控制、网络设备、嵌入式系统和通信基础设施等领域。该器件属于Intel StrataFlash?家族的一部分，采用先进的MirrorBit?技术，能够在单个存储单元中存储两个比特的数据，从而显著提高存储密度并降低每位成本。该芯片封装形式为TSOP-56（Thin Small Outline Package），符合RoHS环保标准，适用于对空间和散热有严格要求的应用场景。其工作温度范围通常支持工业级（-40°C至+85°C），确保在恶劣环境下的稳定运行。
这款64Mbit（8MB）容量的NOR Flash具有快速读取性能，支持x8/x16两种数据总线模式，能够与多种微控制器和处理器无缝对接。内置的命令集兼容JEDEC标准，支持常见的擦除和编程操作，包括扇区擦除、整片擦除以及快速页编程功能。此外，该器件集成了内部状态机，可自动完成编程和擦除操作，减轻主机处理器负担，并通过查询DQ7/DQ6引脚或使用READY#信号监控操作进度。
型号：JR28F064M29EWLB TR
容量：64 Mbit (8 MB)
架构：NOR Flash
工艺技术：MirrorBit?
电压：2.7V 至 3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP-56 (14mm x 20mm)
接口类型：并行（x8/x16）
访问时间：70ns / 90ns（根据不同版本）
组织结构：4096个块，每块16KB
编程时间：典型70μs/word
擦除时间：典型0.8s/sector, 2.0s/chip
写保护功能：Vpp输入提供硬件写保护
可靠性：超过10万次编程/擦除周期，数据保持期达20年
JR28F064M29EWLB TR采用独特的MirrorBit?技术，这是其核心优势之一。该技术利用氮化物层作为电荷捕获介质，在每个物理存储单元中实现双比特存储——一个位于靠近源极的前端，另一个位于靠近漏极的后端。这种设计不仅使存储密度翻倍，还降低了制造成本，同时提升了可靠性和耐久性。由于电荷被捕获在非连续的局部区域而非浮栅中，因此即使发生隧穿氧化层缺陷，也不会导致整个单元失效，从而增强了数据完整性。该技术还支持更精细的工艺缩放，有助于未来向更高密度发展。
该器件具备灵活的电源管理能力，支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式。当CE#或WE#/OE#信号控制时，芯片可自动进入低功耗状态，有效减少系统整体能耗，特别适合电池供电或绿色节能型应用。其内部状态机支持自动编程和自动擦除算法，用户只需发送命令序列即可启动操作，无需持续干预。状态轮询机制允许主机通过读取特定地址来判断操作是否完成，提高了系统响应效率。
在可靠性方面，JR28F064M29EWLB TR经过严格测试，支持超过100,000次的编程/擦除循环，并能保证数据在断电情况下保存长达20年。它还配备了硬件写保护功能，通过Vpp引脚施加高电压（通常为12V）来锁定部分或全部存储区域，防止意外修改关键固件。此外，器件支持扇区保护和整片保护两种模式，满足不同安全等级需求。所有操作均符合JEDEC标准协议，兼容主流嵌入式开发工具链和烧录设备，便于集成与维护。
JR28F064M29EWLB TR广泛用于需要高可靠性代码存储和快速启动能力的嵌入式系统中。典型应用场景包括路由器、交换机、防火墙等网络通信设备，其中用于存放Bootloader、操作系统映像和配置文件；工业自动化控制系统如PLC、HMI人机界面、远程终端单元（RTU），因其宽温特性和抗干扰能力强，适合复杂电磁环境下的长期运行；医疗设备中用于存储校准数据、设备参数和诊断程序；航空航天与国防领域中的任务关键型系统也常采用此类器件以确保数据稳定性。
此外，该芯片适用于各种消费类高端设备，例如数字电视、机顶盒、打印机固件存储等，支持XIP（eXecute In Place）功能，即处理器可以直接从NOR Flash中执行代码而无需加载到RAM，大幅节省内存资源并加快启动速度。在汽车电子中，尽管主要由AEC-Q100认证器件主导，但在某些非动力域控制模块中也可看到类似规格产品的身影。由于其具备良好的可扩展性和成熟的生态系统，工程师可以轻松地将其集成到新设计中，并借助现有的驱动库和调试工具加速产品上市时间。
MT28EW064ABA-70:T
S29GL064N90TFI40
S29GL064S90TFI41
IS26LV1024A-70TLI
