时间：2025/9/14 8:20:40
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PSMN6R4-30MLDX是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供低导通电阻和高效率的开关性能。PSMN6R4-30MLDX采用小型化的LFPAK56（Power-SO8）封装形式，具有良好的热性能和电流承载能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：110A（在Tc=25℃）
脉冲漏极电流(IDM)：330A
导通电阻(RDS(on))：6.4mΩ（最大值，VGS=10V）
栅极电荷(Qg)：44nC
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
封装形式：LFPAK56（也称为Power-SO8）
PSMN6R4-30MLDX具有多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为6.4mΩ，这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。该特性对于高电流应用尤为重要，因为低RDS(on)意味着更低的功率损耗和更小的温升。
其次，该MOSFET采用LFPAK56封装，这是一种先进的表面贴装封装技术，具备出色的热管理和电流承载能力。与传统的TO-220或DPAK封装相比，LFPAK56封装具有更小的体积和更高的热效率，使其更适合在空间受限的高密度PCB设计中使用。
此外，PSMN6R4-30MLDX的栅极电荷（Qg）仅为44nC，这意味着其开关速度较快，开关损耗较低，非常适合用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器和电机驱动器。
该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了其在高应力条件下的可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55℃至175℃）也使其适用于工业级和汽车电子应用，确保在极端环境下的稳定运行。
综上所述，PSMN6R4-30MLDX凭借其低导通电阻、高电流能力和紧凑的封装设计，在功率电子应用中表现出色，是高性能电源系统中理想的MOSFET选择。
PSMN6R4-30MLDX主要应用于需要高效率、高电流和高可靠性的电源管理系统中。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器、服务器电源、电信设备电源、汽车电子系统（如车载充电器和电动助力转向系统）等。
由于其低导通电阻和良好的热性能，该MOSFET特别适合用于需要高效率和紧凑设计的电源模块中。例如，在服务器和通信设备的电源供应系统中，PSMN6R4-30MLDX可以用于同步整流电路，以提高转换效率并减少发热。
在汽车电子领域，该器件可应用于车载DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及电动车辆的电机控制系统，满足汽车电子对高可靠性和高耐久性的要求。
此外，PSMN6R4-30MLDX还可用于工业自动化设备中的电机控制和电源切换系统，提供稳定可靠的功率控制解决方案。
SiSS110AN, BSC126N03MS, IPD65R045CFD7S, PSMN8R0-30MLC
