品牌: Intel
　　类型: NOR Flash
　　容量: 64Mbit
　　组织结构: 4M x 16位
　　接口类型: 并行
　　工作电压: 2.7V 至 3.6V
　　工作电流: 典型值 30mA（读取模式）
　　待机电流: 最大 100μA
　　访问时间: 70ns / 90ns 可选
　　封装类型: 56-TSOP
　　工作温度范围: -40°C 至 +85°C
　　编程电压: 内部电荷泵生成
　　擦除次数: 每扇区典型10万次
　　数据保持时间: 10年以上

JR28F064M29EWH采用了Intel专有的StrataFlash技术，这是一种基于NOR架构的多层存储单元技术，允许每个存储单元存储多个比特的数据，显著提升了存储密度而不牺牲访问速度。这种技术使得该器件在相同物理尺寸下能够提供更高的容量，非常适合对空间敏感但又需要较大固件存储的应用场景。与传统的单级单元（SLC）NOR Flash相比，StrataFlash在成本效益方面更具优势，同时仍然保持了NOR Flash固有的快速随机访问能力和可靠的长期数据保持性能。
　　该芯片支持全电压范围内的读写操作（2.7V~3.6V），无需额外的编程电压引脚，简化了电源设计。其内部集成电荷泵可在标准I/O电压下完成编程和擦除所需的高压生成，进一步降低了系统复杂度。器件具备快速页读取能力，访问时间低至70ns，确保微处理器可以直接从Flash中执行代码（XIP, eXecute In Place），减少对外部RAM的依赖，提高系统响应速度。
　　在可靠性方面，JR28F064M29EWH具备强大的错误管理机制，包括软件查询指令集来监控编程/擦除操作的状态，以及检测超时或失败情况的能力。它采用Boot Block分区结构，将存储空间划分为一个较小的引导扇区（通常为8KB或16KB）和多个主数据扇区，引导扇区具有写保护功能，防止关键启动代码被误修改。所有扇区均可单独擦除，支持灵活的固件更新策略。
　　此外，该器件支持低功耗模式，在待机状态下电流消耗低于100μA，有助于延长电池供电设备的工作时间。其56引脚TSOP封装符合JEDEC标准，易于集成到现有PCB布局中，并支持自动化生产流程。整体设计兼顾性能、功耗与可靠性，适用于严苛工业环境下的长期运行。

JR28F064M29EWH因其高可靠性、快速访问和宽温工作特性，广泛应用于各类嵌入式控制系统中。常见用途包括工业自动化控制器（PLC）、网络通信设备（如路由器、交换机）、医疗仪器、汽车电子模块（如ECU、仪表盘控制单元）以及POS终端等需要安全启动和固件持久化存储的场合。
　　在通信基础设施中，该芯片常用于存储设备的引导程序、操作系统映像和配置参数，支持快速启动和远程固件升级（FOTA）。其并行接口提供了较高的数据吞吐率，适合与DSP或微控制器直接连接，实现高效的本地代码执行。
　　在工业领域，由于其支持-40°C至+85°C的宽温度范围，能够在高温车间或户外环境中稳定运行，因此被广泛用于工控机、HMI人机界面和远程IO模块中。同时，Boot Block结构确保即使在断电或异常重启情况下也能正确加载引导程序，避免系统瘫痪。
　　在消费类电子产品中，该器件可用于数字电视、机顶盒、打印机主控板等设备，作为主程序存储介质。其耐久性高达10万次擦写周期，配合磨损均衡算法，可有效延长使用寿命。此外，由于其具备良好的抗干扰能力和数据保持能力，也适用于安防监控设备和智能电表等长期无人值守的应用场景。

MT28F064SSTWH
　　ISL28F064M29EWH
　　W29GL064C