JMTK70N07A 是一款由 IXYS Corporation 生产的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TO-220 封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等功率转换电路中。其特点是低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度。
JMTK70N07A 的设计目标是满足工业级和消费级电子设备的需求,适用于需要高效能功率管理的应用场景。
最大漏源电压:70V
连续漏极电流:14A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:60nC
总电容:250pF
功耗:150W
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
JMTK70N07A 具有以下显著特性:
1. 低导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 3.5mΩ,从而减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电压(70V),确保在多种应用中具有良好的可靠性。
3. 快速开关性能,栅极电荷较低(60nC),适合高频开关应用。
4. 工作温度范围宽广(-55℃ 至 +150℃),适用于恶劣环境下的运行。
5. 采用标准 TO-220 封装,易于安装和集成到现有设计中。
JMTK70N07A 广泛用于以下应用领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 逆变器和 UPS 系统中的关键功率控制元件。
5. 各种工业和消费类电子设备中的负载切换和保护功能。
IXTH70N07L
IRLB8748PBF
STP14NM50
FDP15N50