时间：2025/7/23 19:17:30
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JMSH1002PE 是一款由JMSH推出的低噪声、高线性度的硅双极型射频晶体管（RF Bipolar Transistor），主要用于高频放大器和射频应用。该晶体管采用TO-100金属封装，适用于需要高可靠性和高性能的通信设备、测试仪器和射频信号链路。JMSH1002PE 设计用于VHF和UHF频段，具备良好的噪声系数和高增益特性，使其成为低噪声放大器（LNA）和射频前端设计的理想选择。
类型：NPN射频晶体管
封装：TO-100金属封装
最大工作频率：125 MHz
最大集电极电流（Ic）：10 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗（Ptot）：300 mW
噪声系数（NF）：≤ 1.5 dB（典型值）
电流增益（hFE）：≥ 100
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
JMSH1002PE 射频晶体管具备多项高性能特性，适用于低噪声放大和射频信号处理。首先，它具有非常低的噪声系数（NF ≤ 1.5 dB），非常适合用于需要高灵敏度的接收机前端放大器设计。其次，该晶体管具有良好的线性度和高电流增益（hFE ≥ 100），确保信号放大过程中失真小、稳定性高。此外，JMSH1002PE 采用TO-100金属封装，具备良好的热稳定性和机械强度，适用于工业和军事级应用环境。该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端温度条件下保持稳定性能。由于其高可靠性和优异的高频特性，JMSH1002PE 在VHF/UHF通信系统、测试设备、无线基础设施和低噪声放大电路中被广泛应用。
JMSH1002PE 主要用于各种射频和高频放大器设计，特别是在低噪声放大器（LNA）和前置放大器中表现优异。常见应用包括通信接收机、频谱分析仪、信号发生器、无线基站、天线放大器和测试测量设备。其高线性度和低噪声特性也使其适用于精密测量仪器和广播接收系统。
2N3904, BF199, 2N5104
