FDS9926A-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的半导体工艺制造。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适合用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及其他功率管理应用。其封装形式为 SO-8,有助于提升散热性能并简化电路设计。
FDS9926A-NL 的特点在于优化了栅极电荷与导通电阻之间的平衡,从而提高了效率并降低了功耗。它在高频开关应用中表现出色,并且能够承受瞬态电压冲击。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:17A
导通电阻(典型值):35mΩ
栅极电荷:40nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
FDS9926A-NL 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能,适用于高频开关应用。
3. 高电流承载能力,确保在高负载条件下稳定运行。
4. 小巧的 SO-8 封装,便于 PCB 布局和集成。
5. 优秀的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
6. 栅极驱动兼容性良好,易于与其他控制器或驱动器配合使用。
这些特性使得 FDS9926A-NL 成为众多功率转换和管理应用的理想选择。
FDS9926A-NL 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 工业设备中的功率控制模块。
6. 消费类电子产品中的高效能功率管理单元。
由于其高性能和可靠性,这款 MOSFET 在汽车电子、通信设备以及家用电器等领域也有广泛应用。
FDS9926A
FDP9926
IRF540N