时间：2025/6/20 22:31:08
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JMK325BJ476MN-T 是一款高性能的功率MOSFET器件，采用先进的半导体制造工艺生产。该器件主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。其卓越的电气特性和紧凑的封装设计使其成为高效率和高密度电路设计的理想选择。
该型号具备较低的导通电阻和优秀的开关性能，从而显著降低了功耗并提升了系统效率。
类型：N沟道 MOSFET
电压等级：60V
最大漏极电流：47A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
栅极电荷：18nC
连续工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263 (D2PAK)
总功耗：150W
JMK325BJ476MN-T 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中可显著降低传导损耗。
2. 快速开关性能，适合高频工作环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。
5. 良好的热稳定性，在极端温度条件下也能保持可靠运行。
6. 紧凑的封装设计，节省PCB空间并简化散热管理。
该器件广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源(SMPS)，如适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器，用于汽车电子、工业控制等领域。
3. 电机驱动，适用于家用电器、电动工具等设备。
4. 电池管理系统(BMS)，用于保护锂电池组免受过流或短路损害。
5. 各类负载开关和保护电路，提供精确的电流控制和保护功能。
JMK325BJ476MN-L, IRFZ44N, FDP5500
