类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：10A
　　漏极-源极电压（VDS）：900V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.85Ω（在VGS=10V时）
　　最大功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220或TO-263（D2PAK）

FMW10N90G的低导通电阻（RDS(on)）特性使其在导通状态下能够减少功率损耗，从而提高整体系统的效率。这种MOSFET采用了先进的平面工艺技术，确保了优异的电气性能和可靠性。其高漏极-源极电压（VDS）耐受能力达900V，使其非常适合用于高压应用，如离线式开关电源和工业控制设备。
　　此外，该器件的栅极-源极电压（VGS）最大可达±30V，提供了良好的抗静电能力和栅极控制稳定性。在高温环境下，FMW10N90G仍能保持稳定的导通和开关性能，适用于需要长时间连续运行的高可靠性系统。
　　从封装角度来看，TO-220和TO-263（D2PAK）封装提供了良好的散热性能，确保在高功率操作时的热管理。这种封装形式也便于安装和散热片的连接，适合各种工业应用需求。FMW10N90G的高可靠性和优异性能使其成为许多功率电子系统中的理想选择。

FMW10N90G主要用于高压功率电子设备，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器和LED照明驱动电路。在开关电源中，该MOSFET作为主开关器件，负责高效的能量转换。在DC-DC转换器中，它用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，实现高效率的电压调节。马达驱动系统中，FMW10N90G可用于控制直流马达的转速和方向，适用于工业自动化和电动工具应用。此外，该器件也可用于UPS（不间断电源）、光伏逆变器和工业控制系统的电源模块设计。

FQA10N90C、IRF840、FDPF10N90、STF10N90M5