JMK325AC7107MM-T是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率电源转换、电机驱动和负载开关等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统的整体效率并降低功耗。
该器件支持大电流处理能力,同时具备良好的短路保护特性,确保在各种工作条件下的稳定性和可靠性。其封装形式紧凑,适合空间受限的应用场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):70V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):25A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
栅极电荷(Qg):65nC
总电容(Ciss):2280pF
工作温度范围(Topr):-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
JMK325AC7107MM-T具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有效减少传导损耗,提升系统效率。
2. 快速开关速度,降低开关损耗,特别适用于高频应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐受性。
4. 支持高电流操作,适合大功率应用场景。
5. 良好的热性能设计,有助于提高散热效率。
6. 宽泛的工作温度范围,适应极端环境下的使用需求。
7. 小型化封装,节省PCB布局空间。
这款MOSFET芯片广泛用于多种电力电子领域,包括但不限于以下应用:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载控制和切换。
4. 新能源汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
6. 各类DC-DC转换器和升压/降压模块。
JMK325AC7107MM-S, IRF7844, AO6402