您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF2907ZPBF

IRF2907ZPBF 发布时间 时间:2025/6/14 16:09:38 查看 阅读:4

IRF2907ZPBF是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装形式。该器件主要应用于高功率密度和高效能需求的场合,例如电机驱动、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器以及逆变器等。其设计具有低导通电阻和较高的电流处理能力,从而实现更低的功耗和更高的系统效率。
  该型号属于OptiMOS系列,这一系列以其卓越的电气性能和可靠性著称,能够满足工业和汽车应用中的严苛要求。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:169A
  导通电阻:1.1mΩ
  栅极电荷:185nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

IRF2907ZPBF具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可以有效减少传导损耗,提高整体效率。
  2. 高额定电流,适合大功率应用场景。
  3. 优化的栅极电荷和输出电容设计,可降低开关损耗并提升开关速度。
  4. 宽广的工作温度范围,使其适用于恶劣环境下的应用。
  5. 强大的热性能表现,有助于延长使用寿命并提高系统的稳定性。
  6. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

该MOSFET广泛用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 工业电机控制和驱动电路。
  2. 开关模式电源(SMPS),如服务器电源和通信电源。
  3. DC-DC转换器中的同步整流。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
  5. 汽车电子系统,如启动马达和负载切换。
  由于其高性能特点,IRF2907ZPBF特别适合需要高效率和高可靠性的应用场景。

替代型号

IRFH5307TRPBF, IRF2907Z

IRF2907ZPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF2907ZPBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRF2907ZPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C160A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.5 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs270nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7500pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF2907ZPBF