JMK212AB7106KG-T 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率开关芯片,专为高频和高功率密度应用设计。该器件采用先进的封装工艺,具备低导通电阻、快速开关速度和高耐压性能,能够显著提升电源转换效率并减小系统体积。
其主要应用场景包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器和通信电源等领域。
型号:JMK212AB7106KG-T
工作电压:650V
额定电流:12A
导通电阻:70mΩ
开关频率:最高支持至5MHz
封装形式:TO-247-3
工作温度范围:-55℃至+150℃
栅极驱动电压:+4V 至 +6V(典型值5V)
JMK212AB7106KG-T 的主要特性如下:
1. 高效氮化镓技术,提供卓越的开关性能与低导通损耗。
2. 快速开关速度,减少死区时间并提高工作效率。
3. 内置过温保护和短路保护功能,增强系统的可靠性。
4. 支持高达5MHz的工作频率,非常适合高频应用。
5. 封装兼容性好,便于替换传统硅基MOSFET器件。
6. 超低寄生电感设计,优化高频动态表现。
JMK212AB7106KG-T 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中作为主功率开关。
2. 高频DC-DC转换器的核心元件。
3. 通信电源模块中的功率级组件。
4. 太阳能逆变器和储能系统的高效功率转换部分。
5. 工业设备中的伺服驱动器和电机控制器。
6. 数据中心电源和其他高性能计算环境中的电源管理单元。
JMK212AB8106KG-T, IRG4PH07K, FDMQ8207