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JMK107BJ225KA 发布时间 时间:2025/12/27 11:10:08 查看 阅读:15

JMK107BJ225KA 是由村田制作所(Murata Manufacturing Co., Ltd.)生产的一款多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于村田的GJM系列或其兼容产品线,广泛应用于各类电子设备中,作为去耦、滤波、旁路和信号耦合等关键功能元件。JMK107BJ225KA 采用标准的表面贴装(SMD)封装,尺寸为0603(英制),即公制尺寸1608,适合高密度PCB布局。该电容器的标称电容值为2.2μF(225表示22×10^5 pF = 2.2×10^-6 F),额定电压为6.3V DC,介质材料为X5R,表示其具有相对稳定的温度特性(-55°C 至 +85°C范围内电容变化不超过±15%)。由于采用了高介电常数的陶瓷材料(如BaTiO3基材料),该电容器能够在小尺寸下实现较高的电容值,满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。此外,JMK107BJ225KA 具有低等效串联电阻(ESR)和良好的高频响应特性,适用于开关电源输出滤波、DC-DC转换器去耦以及便携式消费类电子产品的电源管理电路中。

参数

型号:JMK107BJ225KA
  制造商:Murata
  封装/尺寸:0603(1608公制)
  电容值:2.2μF(225表示22×10^5pF)
  电容公差:±10%(K级)
  额定电压:6.3V DC
  介质材料:X5R(-55°C ~ +85°C, ±15%)
  工作温度范围:-55°C ~ +85°C
  温度系数:ΔC/C ≤ ±15%
  安装类型:表面贴装(SMD)
  层数结构:多层陶瓷(MLCC)
  端子类型:镍阻挡层 + 锡电极(Ni-Sn)
  无铅/符合RoHS:是

特性

JMK107BJ225KA 作为一款高性能多层陶瓷电容器,具备多项优异的技术特性,使其在现代电子设计中广泛应用。
  首先,该电容器采用X5R陶瓷介质材料,具有良好的温度稳定性。在-55°C至+85°C的工作温度范围内,电容值的变化控制在±15%以内,相较于Y5V等介质类型,其温漂性能更为可靠,适用于对电容稳定性有一定要求的应用场景。同时,X5R材料在寿命期内的电气性能衰减较小,长期使用后仍能保持较高的电容保持率,提升了系统的可靠性。
  其次,该器件基于村田先进的叠层制造工艺,实现了在0603小型封装内集成2.2μF的较大电容值。这种高电容密度得益于高介电常数陶瓷材料的应用以及精密的薄层成型技术,使得电容器在有限的空间内提供足够的储能能力,特别适用于空间受限的便携式设备,如智能手机、可穿戴设备和平板电脑。
  此外,JMK107BJ225KA 具有极低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),这使其在高频去耦和噪声滤波应用中表现出色。在DC-DC转换器或LDO稳压器的输出端使用时,能够有效抑制电压纹波和瞬态干扰,提升电源完整性。其良好的高频响应特性也有助于减少电磁干扰(EMI),提高系统整体的电磁兼容性(EMC)。
  从机械和环境适应性来看,该电容器采用三层端子结构(Inner Electrode / Ni Barrier / Sn Coat),增强了抗热应力和抗焊接裂纹的能力,提高了回流焊过程中的可靠性。同时,产品符合RoHS指令,不含铅及其他有害物质,适用于环保型电子产品制造。
  值得注意的是,陶瓷电容器存在直流偏压效应,即在接近或达到额定电压时,实际电容值会显著下降。因此,在实际应用中需参考村田提供的直流偏压特性曲线,合理选择额定电压余量,以确保在工作电压下仍能满足系统对电容值的要求。

应用

JMK107BJ225KA 多层陶瓷电容器广泛应用于各类需要小型化、高可靠性和良好电性能的电子设备中。
  在便携式消费类电子产品领域,如智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机中,该电容器常用于电源管理单元(PMU)的输入/输出滤波、处理器核心供电的去耦以及射频模块的旁路电路。由于这些设备对空间利用率要求极高,0603封装的JMK107BJ225KA 能够在不牺牲性能的前提下实现紧凑布局。
  在通信设备中,该器件可用于基站模块、路由器和光模块的电源去耦网络,有效滤除高频噪声,保障信号传输的稳定性。其低ESR特性有助于提升电源效率,减少热量积累。
  工业控制与汽车电子也是其重要应用方向。尽管该型号额定电压较低(6.3V),但在车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块或车身控制模块的低压电源轨中,仍可作为次级滤波或局部去耦使用。配合其他高压电容构成复合滤波网络,能够优化整体电源质量。
  此外,在医疗电子设备、物联网终端节点以及嵌入式微控制器系统中,JMK107BJ225KA 因其高可靠性、长寿命和一致性好等特点,被广泛用于MCU供电引脚的退耦、ADC参考电压滤波以及传感器信号调理电路中的耦合电容。
  总体而言,该器件适用于任何需要在有限空间内实现稳定电容性能的直流偏置较低的电源去耦和信号滤波场景。

替代型号

[
   "GRM188R71E226ME45D",
   "CL21A226MPQNNNE",
   "C1608X5R0J226MT",
   "LCMZ1608X5R0J226T"
  ]

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