JMK107ABJ106KAHT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要用于开关和放大应用。该器件采用了先进的制造工艺,确保了高效率、低导通电阻以及卓越的热性能。它广泛适用于各种电力电子设备中,例如开关电源、电机驱动器、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
该型号具体是 N 沟道增强型 MOSFET,具有快速开关速度和较低的栅极电荷特性,使其在高频应用中表现出色。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:30A
导通电阻:1.5mΩ
栅源电压:±20V
总功耗:180W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
JMK107ABJ106KAHT 的主要特点是其超低的导通电阻,这使得它的传导损耗显著降低,从而提高了整体系统效率。此外,该器件还具备较高的雪崩能量能力,增强了其在异常情况下的耐用性。
它拥有快速的开关速度,减少了开关损耗,并且其优化的热阻设计有助于提高散热性能,确保长期稳定运行。
该器件采用 TO-247 封装,这种封装形式不仅提供了良好的电气性能,同时便于安装和散热管理。
JMK107ABJ106KAHT 还具有出色的 ESD 防护能力,能够承受更高的瞬态电压冲击,适合在恶劣环境下使用。
这款 MOSFET 广泛应用于开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车中的电机控制器以及其他需要高效率功率转换的场合。
由于其低导通电阻和快速开关特性,特别适用于高频应用,如 LLC 谐振转换器和同步整流电路。此外,在工业自动化领域,它也常被用作固态继电器或负载开关。
JMK107ABJ106KAZT, IRF840, STP30NF10