类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：150A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：3.1mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：130nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

JLS1500-0313C 具备优异的导通性能和开关性能，采用先进的沟槽式结构设计，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。其最大漏极电流可达150A，适用于高电流负载的应用环境。器件的最大漏-源电压为100V，适用于中高功率电源系统。栅极电荷较低，有助于提高开关速度，从而降低开关损耗。此外，JLS1500-0313C 采用TO-263（D2Pak）封装形式，具备良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高效组装。
　　该器件的工作温度范围宽，从-55°C至+175°C，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各种恶劣环境下的应用。其栅-源电压耐受范围为±20V，支持高电压驱动电路设计，增强了在不同控制环境下的适应性。此外，JLS1500-0313C 的封装设计优化了电流路径，降低了寄生电感，从而提升了高频应用中的性能表现。

JLS1500-0313C 主要应用于高功率电源系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化控制设备、服务器电源模块以及汽车电子系统。其高电流承载能力和低导通电阻使其特别适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该器件也可作为关键的开关元件使用。

IRF150, STP150N10F7, FDP150N10