类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：105A
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为7.5mΩ（典型值可能更低）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247或TO-263（具体取决于制造商）
　　功率耗散：约300W
　　栅极电荷（Qg）：约250nC
　　漏极电容（Coss）：约2000pF

JFG105N100L具有多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。该MOSFET采用先进的封装技术，确保良好的散热性能，从而延长器件寿命并提高系统可靠性。JFG105N100L的高栅极电荷特性使其在高频开关应用中表现优异，适用于快速开关电路设计。此外，该器件的高耐用性和稳定性使其适用于恶劣工作环境，如工业控制、电源转换和电机驱动等。
　　在动态性能方面，JFG105N100L的漏极电容和输入电容较低，有助于减少开关损耗，并提高系统的响应速度。其高dv/dt耐受能力确保在高频开关过程中不会因电压突变而引发误触发，从而提高系统的稳定性。此外，该MOSFET具备较高的抗短路能力，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。

JFG105N100L广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. 电源转换：用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块、服务器电源和电信电源系统中，提供高效的能量转换。
　　2. 电机控制：适用于无刷直流电机驱动、伺服电机控制和电动汽车电驱系统，提供高电流开关能力。
　　3. 工业自动化：用于变频器、伺服驱动器和工业电源模块，实现高效能控制。
　　4. 新能源系统：应用于太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电设备，支持高效率的能量转换和管理。
　　5. 电池管理系统：用于高功率电池组的充放电控制，确保电池组的安全和高效运行。

SiHF105N100DL, IXFH105N100P, STP105N10F7AG, FDP105N10A