时间：2025/9/6 4:02:58
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G15100F4 是一款常见的电子元器件芯片，属于功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号通常用于高频率开关应用，具备低导通电阻和高耐压的特性，适用于DC-DC转换器、电源管理模块以及功率放大器等电路设计。
类型：功率MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：≤0.045Ω
栅极电荷（Qg）：26nC（典型值）
封装形式：TO-220F
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
G15100F4 的主要特性包括低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。该MOSFET具有较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行。
此外，G15100F4 采用TO-220F封装，具备良好的散热性能，适用于需要高效散热的应用场景。其栅极电荷较低，有助于提高开关速度，从而减少开关损耗。
该器件的漏源耐压（Vds）为100V，能够在较宽的电压范围内可靠工作。同时，它具有较高的抗雪崩能力，增强了在高能脉冲环境下的稳定性。
内置的快速恢复二极管（如果有的话）也有助于改善反向恢复时间，使得G15100F4 在高频开关应用中表现出色。
G15100F4 常用于各类电源转换系统中，如DC-DC升压/降压模块、同步整流电路、电机驱动器以及电池管理系统等。
在消费类电子产品中，它可作为负载开关或电源管理组件，用于调节电压或控制电流流动。
工业控制设备中也广泛使用G15100F4，如伺服驱动器、变频器和不间断电源（UPS）系统。
由于其良好的高频性能，该MOSFET也适用于音频功率放大器中的电源部分，提供稳定可靠的功率输出。
IRF150、FDPF15N10、SiHF15N10
