JEB36DF是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电路中。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能转换的应用场景。其封装形式通常为TO-220,能够承受较高的电流和电压。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:36A
导通电阻:15mΩ
栅极电荷:45nC
开关时间:开启延迟时间10ns,上升时间15ns,关断传播时间25ns
JEB36DF具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,可以有效降低功率损耗。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
3. 较高的电流承载能力,可满足大功率需求。
4. 封装散热性能良好,有助于提高系统的整体稳定性。
5. 内置ESD保护功能,增强了芯片在恶劣环境下的可靠性。
JEB36DF的主要应用场景包括:
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 直流电机驱动电路。
3. 电池保护及负载切换。
4. LED驱动电路中的开关元件。
5. 各种工业控制设备中的功率开关。
6. 汽车电子系统中的负载控制模块。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5802