时间：2025/6/4 17:41:46
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JEB36DF是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电路中。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于需要高效能转换的应用场景。其封装形式通常为TO-220，能够承受较高的电流和电压。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：36A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：开启延迟时间10ns，上升时间15ns，关断传播时间25ns
JEB36DF具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可以有效降低功率损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 较高的电流承载能力，可满足大功率需求。
4. 封装散热性能良好，有助于提高系统的整体稳定性。
5. 内置ESD保护功能，增强了芯片在恶劣环境下的可靠性。
JEB36DF的主要应用场景包括：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 直流电机驱动电路。
3. 电池保护及负载切换。
4. LED驱动电路中的开关元件。
5. 各种工业控制设备中的功率开关。
6. 汽车电子系统中的负载控制模块。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5802
