时间：2025/6/19 7:09:08
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JEB120P0603 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率、高频开关功率晶体管，专为电源管理应用设计。它采用增强型横向场效应晶体管 (eGaN FET) 技术，提供卓越的开关性能和导通电阻特性。该器件能够显著降低能量损耗，并提升功率密度，适用于高频 DC-DC 转换器、无线充电设备、LED 驱动器以及其他需要高效能和快速开关的应用场景。
其封装形式为紧凑型 PDFN 封装，有助于简化 PCB 设计并减少整体解决方案尺寸。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：120A
导通电阻：0.6mΩ
栅极电荷：5nC
反向恢复电荷：无（零反向恢复）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
JEB120P0603 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 0.6mΩ，可显著降低传导损耗。
2. 高频率运行能力，支持高达 MHz 级别的开关频率，从而减小无源元件的尺寸。
3. 增强型 GaN 技术确保了更高的可靠性和更长的使用寿命。
4. 具备出色的热性能，能够在极端温度条件下稳定运行。
5. 零反向恢复电荷特性减少了开关过程中的振荡和电磁干扰 (EMI)。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合多种工业应用需求。
JEB120P0603 广泛应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器。
2. 无线充电发射端及接收端电路。
3. LED 照明驱动系统。
4. 消费类电子产品中的适配器和充电器。
5. 工业级电机驱动与控制模块。
6. 太阳能微型逆变器和其他分布式能源管理系统。
由于其高频和低损耗特性，JEB120P0603 成为许多现代电力电子设计的理想选择。
JEB100P0803, JDB120P0605
