时间：2025/7/22 19:23:13
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JE925HSTR3是一款双极型晶体管（BJT），通常用于高频放大和开关应用。该器件采用先进的硅外延平面工艺制造，具备良好的高频响应和稳定的电气性能。其小型的SOT-23封装使其适用于高密度PCB布局。
类型：NPN双极型晶体管
最大集电极电流：100 mA
最大集电极-发射极电压：30 V
最大基极电流：20 mA
增益带宽积（fT）：100 MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据等级）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
JE925HSTR3晶体管具备出色的高频性能，适用于射频（RF）和中频（IF）放大器设计。该器件具有低噪声系数和高线性度，使其在通信系统中表现出色。此外，JE925HSTR3的电流增益范围宽广，用户可以根据具体应用选择合适的增益等级。其SOT-23封装不仅节省空间，还提供良好的热性能和机械稳定性，适用于自动化装配工艺。
该晶体管的基极-发射极电压（VBE）典型值为0.7V，确保了较低的驱动电压需求，同时其最大集电极耗散功率为300 mW，能够支持中等功率的开关和放大应用。JE925HSTR3的制造工艺符合行业标准，具有良好的互换性和可靠性，适合在多种电子设备中使用。
JE925HSTR3广泛应用于高频放大器、射频前端模块、音频放大器、开关电路以及通用模拟电路设计。由于其优异的高频特性，JE925HSTR3常用于无线通信设备、电视机调谐器、无线局域网（WLAN）模块以及各种消费类电子产品中的信号处理电路。此外，该晶体管也可用于传感器接口电路和低噪声前置放大器设计。
BC547, 2N3904, PN2222
