2N5551C 时间：2025/8/17 3:13:15 阅读：33

2N5551C是一种NPN型高频晶体管，广泛应用于射频（RF）和高频放大电路中。这款晶体管以其优良的高频特性和可靠性而著称，适用于需要高性能晶体管的电子设备。2N5551C是TO-92封装版本，具有较高的电流增益和较低的噪声系数，因此非常适合用于前置放大器、射频信号放大器以及各类高频电子电路中。

参数

类型：NPN晶体管
　　封装类型：TO-92
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：150V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功率耗散（PD）：300mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在IC=2mA时为80-600
　　噪声系数（NF）：通常为3dB（在1kHz）
　　最大集电极-基极电压（VCB）：300V
　　最大发射极-基极电压（VEB）：5V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

2N5551C是一款专为高频应用设计的晶体管，其优异的高频响应和低噪声特性使其成为射频放大器和前置放大器的理想选择。该晶体管的电流增益范围较宽，从80到600，能够适应不同的放大需求，确保在不同应用场景下都能提供稳定的工作性能。此外，2N5551C的工作频率可以达到100MHz，这使得它在高频电路设计中具有较大的灵活性。
　　它的低噪声系数（通常为3dB）使其在需要高信噪比的应用中表现出色，例如在音频设备和射频接收器中。TO-92封装形式不仅便于安装，还提供了良好的热管理和电气性能，确保晶体管在各种工作环境下都能保持稳定。
　　2N5551C的最大集电极-发射极电压为150V，最大集电极电流为100mA，最大功率耗散为300mW，这些参数表明该晶体管能够在相对较高的电压和电流下工作，同时保持良好的稳定性。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适合在各种环境条件下使用。

应用

2N5551C晶体管主要应用于高频电子电路中，例如射频放大器、前置放大器和信号放大器。它常用于无线通信设备中的射频前端电路，以提高信号接收的灵敏度和稳定性。此外，它还广泛用于音频放大设备、测试仪器和工业控制系统中的高频信号处理电路。
　　由于其优良的高频特性和低噪声系数，2N5551C也常用于收音机和电视接收器中的信号放大电路，以确保高质量的信号传输。在一些需要高增益和低噪声的放大电路中，如前置放大器和高频信号发生器，2N5551C也表现出色。