YAT-9A+ 时间：2025/12/28 12:58:44 阅读：16

YAT-9A+ 是一款由日本公司 NEC（现为 Renesas Electronics）推出的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），专为高频、低噪声应用设计。该器件常用于射频（RF）和微波放大器、接收机前端以及其他需要低噪声系数和高线性度的电路中。YAT-9A+ 具有优异的噪声性能和较高的增益，在 VHF、UHF 和 L 波段应用中表现出色。其封装形式为低成本、易于安装的塑料表面贴装封装，适合于大批量生产和自动化装配。

参数

类型：GaAs FET
　　封装：SOT-23
　　频率范围：DC - 1 GHz
　　噪声系数：0.5 dB @ 1 GHz
　　增益：16 dB @ 1 GHz
　　工作电压：3V - 12V
　　静态电流：8 mA（典型值）
　　输出截点（OIP3）：14 dBm @ 1 GHz
　　输入截点（IIP3）：9 dBm @ 1 GHz
　　阻抗：50Ω

特性

YAT-9A+ 是一款专为低噪声放大应用设计的高性能 GaAs FET。该器件采用了先进的 GaAs 工艺技术，具有极低的噪声系数，在 1 GHz 频率下噪声系数仅为 0.5 dB，适用于对噪声要求极高的通信系统前端放大器。此外，YAT-9A+ 在工作电压范围内（3V 至 12V）均可保持良好的性能，适应性强，便于在多种电源条件下使用。
　　该器件的增益在 1 GHz 下可达 16 dB，且具有良好的线性度，OIP3 值为 14 dBm，IIP3 值为 9 dBm，使其在处理弱信号时能够有效减少失真，提高信号质量。YAT-9A+ 的静态电流为 8 mA，功耗较低，适合电池供电或低功耗应用。
　　封装方面，YAT-9A+ 采用标准的 SOT-23 小型封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 布局中使用。其 50Ω 阻抗匹配设计简化了射频电路的设计和匹配过程，提高了系统的稳定性和可靠性。因此，YAT-9A+ 被广泛应用于无线通信、广播接收、GPS 接收机、CATV 放大器等高频电子系统中。