时间：2025/8/28 17:27:36
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JE861HL1R 是一颗由 Renesas（瑞萨电子）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备等场景。该器件采用高性能硅工艺制造，具备低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适合于高效率和高可靠性的电源系统设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：30V
最大源极电流（ID）：6A（@25°C）
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（@VGS=10V）
栅极电压（VGS）：±20V
功率耗散（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOP-8
JE861HL1R 的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件具备良好的热稳定性，在高电流负载下仍能保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），兼容多种驱动电路设计，适用于多种电源拓扑结构，如同步整流、Buck/Boost 转换器等。
此外，JE861HL1R 采用 SOP-8 封装，体积小巧，便于在空间受限的 PCB 设计中使用。该封装还具备良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的可靠性。JE861HL1R 的高雪崩耐量和抗过载能力也使其在恶劣工作环境中具备出色的稳定性与耐用性。
该 MOSFET 具备较高的开关速度，适合用于高频开关电路，能够有效减小外部滤波元件的尺寸，提高整体系统的功率密度。同时，其低输入电容（CISS）和低反向恢复电荷（QRR）也有助于减少开关损耗，提高转换效率。
JE861HL1R 常见于各种电源管理系统中，包括但不限于同步整流器、DC-DC 升压/降压转换器、电池充电与管理系统、负载开关、电机驱动电路以及工业控制设备。此外，它也适用于便携式电子产品、智能家居设备和汽车电子系统等对效率与稳定性要求较高的应用场景。
Si2302DS, AO3400A, FDS6680, IRF7413
