时间：2025/7/29 11:39:26
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JCS9N50C是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高频率的开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻和优异的热性能，适用于各种电力电子设备，如电源转换器、电机驱动、DC-DC变换器和LED照明驱动等。JCS9N50C具有较高的耐压能力，适用于需要稳定性能和高可靠性的工业和消费类应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：9A
最大漏-源电压（VDS）：500V
导通电阻（RDS(on)）：0.85Ω（最大）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
最大功耗（PD）：40W
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C~+150°C
JCS9N50C MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，具有低导通电阻和高开关速度的特性，从而在高频开关应用中表现出较低的导通损耗和开关损耗。其高耐压能力（500V）使其适用于高压电源转换系统。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，提高了系统的可靠性和寿命。JCS9N50C还具备较强的抗雪崩能力和抗过载能力，适用于严苛的工作条件。
该器件的栅极驱动特性较为宽泛，允许在2V至4V范围内实现导通，适用于多种驱动电路设计。TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，也便于在PCB上安装和使用，适用于多种电源管理方案。
JCS9N50C广泛应用于各种电源管理系统和功率控制设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、LED驱动电源、充电器、逆变器以及工业自动化控制系统等。其高耐压和低导通电阻的特性也使其适用于需要高效能和高可靠性的家电和工业设备中的功率开关电路。
KSC9N50C, IRF840, FQA9N50C, STP9NK50Z
