JCS6N90FH 时间：2025/9/1 22:42:09 阅读：7

JCS6N90FH 是一款由杰华仕（Jiangsu Changjing Electronics Co., Ltd.）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率和高效率的开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，广泛应用于电源适配器、DC-DC转换器、LED驱动电源、电动工具和电机控制等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：900V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：6A（@TC=100℃）
　　导通电阻(Rds(on))：≤2.2Ω（@Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252、TO-263等

特性

JCS6N90FH 采用先进的高压沟槽工艺，具备优异的导通和开关性能。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率；高耐压特性使其适用于高电压工作环境，增强了系统的稳定性和可靠性。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在高温环境下长时间稳定运行。其封装形式多样，适应不同电路设计和安装需求，具备良好的散热性能，有助于提高整体系统的功率密度和使用寿命。
　　在封装方面，TO-220封装适用于通孔焊接，具备良好的机械强度和散热能力；TO-252（DPAK）和TO-263（D2PAK）为表面贴装封装，适合自动化生产，同时具备优异的热管理性能。这些特性使得 JCS6N90FH 在电源管理和功率转换应用中表现出色，能够满足高效、小型化和高可靠性设计的要求。