FR9120N是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用中。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
FR9120N属于N沟道增强型MOSFET,适用于需要高效能和快速响应的应用场景。
型号:FR9120N
类型:N沟道增强型MOSFET
耐压:60V
持续漏极电流:18A
导通电阻:4.5mΩ(典型值)
栅极电荷:7nC(典型值)
最大功耗:130W
工作温度范围:-55℃至+150℃
FR9120N的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗,提升整体效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
3. 栅极电荷较小,可以有效减少驱动损耗。
4. 具备出色的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持良好的性能。
5. 小型封装设计,便于电路板布局和安装。
FR9120N广泛应用于各种电力电子设备中,主要应用领域包括:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的开关器件。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 可再生能源系统中的功率转换模块,如太阳能逆变器等。
IRFZ44N
FDP5530
STP18NF06L