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JCS6N70V 发布时间 时间:2025/8/2 0:46:31 查看 阅读:27

JCS6N70V是一款由JieJie Microelectronics(杰杰微电子)生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高电压、高电流应用而设计,适用于电源管理、开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机控制、负载开关等多种电子系统。JCS6N70V采用了先进的沟槽式(Trench)工艺技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力(700V)以及优异的热稳定性和可靠性。该MOSFET通常采用TO-220或TO-252(DPAK)封装形式,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):700V
  栅源电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id)@25℃:6A
  导通电阻(Rds(on)):典型值1.8Ω(@Vgs=10V)
  工作温度范围:-55℃~150℃
  封装类型:TO-220 / TO-252

特性

JCS6N70V具备多项优异特性,适用于多种高电压和高功率应用场景。首先,其700V的漏源电压(Vds)使其能够在高压环境中稳定工作,适用于电源转换器、适配器、充电器等产品。其次,低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率,同时减少了发热,提高了可靠性。此外,该MOSFET采用了先进的Trench工艺,具有更高的电流密度和更小的芯片面积,从而在保持高性能的同时实现更小的封装尺寸。其栅极驱动电压为10V,确保了良好的导通性能,并兼容主流的MOSFET驱动电路。JCS6N70V还具有良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定运行,适合在工业级环境中使用。最后,其封装形式(如TO-220或TO-252)具有良好的散热性能,便于焊接和安装,适用于多种PCB布局和封装要求。

应用

JCS6N70V广泛应用于各种高电压、中等功率的电子系统中。常见应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制电路、智能电表、工业自动化控制、电池管理系统(BMS)、光伏逆变器、家用电器(如电磁炉、电风扇控制器)等。在这些应用中,JCS6N70V凭借其高耐压能力、低导通电阻和良好的热管理性能,能够有效提升系统效率并增强运行稳定性。例如,在开关电源中,该MOSFET可作为主开关器件,实现高效能的功率转换;在电机控制电路中,可用于H桥驱动结构,实现对电机转速和方向的精确控制;在LED照明系统中,可作为功率开关使用,提升灯具的能效和寿命。

替代型号

SiHF6N70E (Siliconix), FQP6N70 (Fairchild), STP6NK70Z (STMicroelectronics)

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