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JCS4N60VB 发布时间 时间:2025/8/11 4:14:42 查看 阅读:11

JCS4N60VB是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺制造,具备高耐压、低导通电阻和快速开关特性。JCS4N60VB通常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制、照明系统以及家用电器等高功率应用场合。其封装形式通常为TO-220或TO-252(DPAK),具有良好的散热性能和机械稳定性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电压(VDSS):600V
  最大漏极电流(ID):4A(在25°C)
  导通电阻(RDS(on)):约2.5Ω(典型值)
  栅极电压(VGS):±30V
  最大功耗(PD):50W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220、TO-252

特性

JCS4N60VB具备多项优良的电气和物理特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其高耐压能力(600V)使其适用于中高压电源转换系统,如AC-DC适配器和马达驱动电路。其次,该器件具有较低的导通电阻(RDS(on)),从而降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,JCS4N60VB采用了先进的平面工艺技术,提升了器件的热稳定性和可靠性,适用于高负载和高温环境下的长期运行。
  该MOSFET还具有快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高电路的工作频率,从而缩小外部元件的尺寸,提升整体设计的紧凑性。JCS4N60VB的栅极驱动电压范围宽,可在±30V范围内工作,增强了与各种驱动电路的兼容性。其封装设计(如TO-220)具有良好的散热能力,确保在高功率运行时仍能保持稳定性能。
  从应用角度来看,JCS4N60VB适用于多种电源管理场景,包括LED驱动、电池充电器、逆变器、节能灯具和工业控制系统。其高可靠性和良好的性价比使其成为许多中功率应用的首选器件。

应用

JCS4N60VB广泛应用于各类功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制模块、电焊机、变频器以及家用电器中的电源部分。其高耐压和低导通电阻特性使其在节能照明、电源适配器、不间断电源(UPS)和工业自动化系统中表现出色。

替代型号

FQP4N60C、2SK2545、IRF840、STP4NK60Z

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