JCS13N50FT是一款由JCS(江苏长电科技)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于各种高频率开关电源和功率转换应用。JCS13N50FT采用TO-220封装,便于散热和安装,广泛用于工业控制、电源适配器、电机驱动和LED照明等场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):500V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):13A
导通电阻(Rds(on)):≤ 0.45Ω
功率耗散(Pd):83W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-220
JCS13N50FT具有多项优良特性,首先其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗,提高系统效率。
其次,该器件具备较高的开关速度,适用于高频开关电源设计,有助于减小外围电路的体积并提高功率密度。
此外,JCS13N50FT采用TO-220封装形式,具有良好的散热性能,可在较高功率条件下稳定工作。
该MOSFET还具备较强的过载和瞬态响应能力,适用于负载波动较大的应用环境。
其栅极设计具有较高的抗干扰能力,能够有效防止误触发,提升系统的稳定性和可靠性。
最后,JCS13N50FT具有较高的性价比,适合大批量应用,广泛用于各类中高功率电源系统中。
JCS13N50FT常用于各类开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、LED驱动电源、电机控制电路、逆变器以及工业自动化设备中的功率开关场合。
由于其良好的导通特性和热稳定性,该器件也广泛应用于高效率电源管理系统和节能型电子产品中。
此外,JCS13N50FT还可用于电池充电器、UPS不间断电源、光伏逆变系统以及家用电器中的功率控制模块。
FQA13N50C、20N50、15N50、TK13A50D、STP12NM50N