型号：CL21B153JBANNNC
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装尺寸：CL21（0805 / 2012 metric）
　　电容值：15 nF (15000 pF)
　　容差：±5% (J)
　　额定电压：50 V DC
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：±15%
　　电极结构：Ni barrier electrode
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　产品系列：CL Series
　　符合标准：RoHS compliant, AEC-Q200（部分等级）

CL21B153JBANNNC采用X7R陶瓷介质材料，这种材料在宽温度范围内表现出优异的稳定性，能够在-55°C到+125°C之间保持电容值的变化不超过±15%，非常适合需要在恶劣环境条件下稳定工作的应用场景。相比于Y5V或Z5U类电介质，X7R材料不仅具有更好的温度稳定性，而且在直流偏压下的电容衰减也相对较小，这使得该电容在实际应用中能够提供更可靠的性能。同时，该电容的容差控制在±5%，确保了电路设计中的精确匹配与一致性，特别适用于对参数敏感的模拟电路或定时电路。
　　该器件采用CL21（即0805）小型化封装，体积紧凑，适合高密度PCB布局，尤其适应便携式电子设备对空间节省的需求。其镍障层电极结构增强了抗硫化能力，提高了在高湿、含硫等恶劣环境下的长期可靠性，有效防止因电极腐蚀导致的开路失效。这一特性使其在汽车电子、工业控制系统等严苛环境中具备更强的适应性。此外，该结构还改善了焊点的机械强度和热循环耐久性，降低了热应力引起的裂纹风险。
　　CL21B153JBANNNC支持回流焊工艺，兼容无铅焊接流程，峰值温度可达260°C，符合现代电子制造的环保与工艺要求。其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性使其在高频去耦应用中表现突出，可有效滤除电源线上的高频噪声，提升系统电磁兼容性（EMC）。虽然其不属于高Q值射频电容类别，但在一般信号耦合、旁路和滤波任务中已足够胜任。综合来看，该电容集稳定性、小型化、高可靠性和环保合规于一体，是现代电子设计中常用的被动元件之一。

CL21B153JBANNNC广泛应用于多种电子系统中，主要用于电源去耦、信号滤波、交流耦合以及噪声旁路等典型电路功能。在数字电路中，它常被放置于集成电路（IC）的电源引脚附近，用以吸收瞬态电流波动，稳定供电电压，减少开关噪声对敏感电路的影响。例如，在微控制器、FPGA、DSP或逻辑门电路的VCC引脚上并联此类电容，可以显著提高系统的运行稳定性与抗干扰能力。
　　在电源管理单元中，该电容可用于DC-DC转换器的输入输出端滤波，协助平滑电压纹波，提升转换效率。由于其50V的额定电压等级，适用于中低压电源轨（如12V、24V系统），常见于工业控制板、网络通信设备和家用电器主板中。此外，在模拟信号链路中，该电容可作为耦合电容连接两级放大器，阻断直流分量而允许交流信号通过，适用于音频处理、传感器信号调理等场景。
　　得益于其X7R介质带来的良好温度稳定性与AEC-Q200认证的潜在适用性，CL21B153JBANNNC也被用于汽车电子模块，如车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统和ADAS传感器接口电路中。在这些应用中，元器件必须承受剧烈的温度变化和振动环境，因此高可靠性至关重要。此外，该型号还可用于医疗设备、测量仪器和消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）的辅助电路中，执行去耦或RC定时功能。总之，作为一种通用型多层陶瓷电容，其应用覆盖了从民用到工业再到部分车规级领域的广泛范围。

GRM21BR71H153KA01L
　　CC0805JRNPO9BN150
　　C2012X7R1H153K
　　ECJ-2VB1H153J