时间：2025/4/30 17:43:38
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LBTN180Y3T1G 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 TO-263 封装形式。这款芯片广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源等场景，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够有效降低功耗并提升系统效率。
该器件在设计时充分考虑了高效率、高可靠性和低损耗的需求，适合需要高频开关和大电流处理的应用环境。
最大漏源电压：180V
连续漏极电流：5.7A
脉冲漏极电流：30A
栅源电压：±20V
导通电阻：0.075Ω
总电容：1200pF
结温范围：-55℃ 至 150℃
LBTN180Y3T1G 的主要特点是其出色的电气性能和稳定性。它具备以下优势：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流应用中减少功率损耗。
2. 高速开关能力，支持高频工作场景。
3. 较高的雪崩击穿能量，增强了器件的耐用性和可靠性。
4. 采用 TO-263 封装，有助于提高散热性能，并且易于集成到各种电路设计中。
5. 支持宽广的工作温度范围，适应多种工业和商业应用场景。
这些特性使得 LBTN180Y3T1G 成为许多电力电子设备中的理想选择，尤其是在需要高效能和稳定性的条件下。
LBTN180Y3T1G 广泛适用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制和驱动电路，例如步进电机、直流无刷电机等。
3. 各种逆变器和 UPS 系统。
4. 过流保护电路和负载开关。
5. 工业自动化设备及消费类电子产品中的功率管理模块。
凭借其强大的性能，该器件在这些应用中展现了卓越的效率和可靠性。
LBTN180N3T1G, IRFZ44N, FDN340P
