类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：8A（连续）
　　导通电阻（RDS(ON)）：0.045Ω @ VGS = 10V
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

JC101DN的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统的效率。在VGS为10V时，RDS(ON)仅为0.045Ω，这使得该器件在高电流应用中能够保持较低的温升。此外，JC101DN具有快速的开关速度，能够适应高频工作环境，减少了开关损耗，从而进一步提升了系统性能。
　　另一个重要特性是其高电流承载能力，连续漏极电流可达8A，短时间峰值电流更高，这使得JC101DN适用于需要瞬时高功率输出的应用场景。该器件的热稳定性良好，能够在较宽的温度范围内稳定工作，确保了其在恶劣环境中的可靠性。
　　JC101DN还具备良好的栅极驱动兼容性，支持常见的10V或12V栅极驱动电压，这使得它能够轻松地与多种控制电路配合使用。同时，其±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的安全裕量，防止因过压而导致的损坏。
　　由于采用了TO-252（DPAK）封装，JC101DN具备较好的散热性能，并且封装尺寸紧凑，适用于空间受限的设计。这种封装形式也便于自动化贴片安装，提高了生产效率。

JC101DN常用于各种电源管理与转换电路中，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）以及负载开关控制等。在这些应用中，其低导通电阻和高电流能力能够有效提升系统效率并减少热量产生。
　　在电机驱动电路中，JC101DN可用于H桥结构中的上下桥臂开关，控制直流电机的正反转及调速。由于其具备快速的开关特性，因此适用于PWM（脉宽调制）控制方式，实现对电机的精确控制。
　　此外，该器件也可用于LED驱动电路、电源适配器、充电器、工业自动化控制系统以及智能家电等电子设备中。其高可靠性和良好的热稳定性使其在工业级应用中表现出色。

IRFZ44N, STP80NF03L, FDP6670, Si4410DY