时间：2025/9/1 9:12:50
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IS61QDB21M36-250M3L 是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速、低功耗、36位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。该芯片属于高性能SRAM系列，适用于对数据访问速度要求较高的应用场景。该SRAM采用同步设计，具有双端口架构，能够提供高效的并行数据处理能力。IS61QDB21M36-250M3L封装为165引脚Mini BGA，适用于工业级温度范围，具有良好的稳定性和可靠性。
容量：256K x 36位
电压：2.3V - 3.6V
最大访问时间：250MHz
封装类型：165引脚Mini BGA
温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：同步
组织结构：256K x 36
工作电流：180mA（典型值）
待机电流：10mA（典型值）
数据输入/输出方式：公共地址和数据总线
时钟频率：最大250MHz
IS61QDB21M36-250M3L是一款专为高性能系统设计的SRAM芯片，其采用同步架构，能够与高速处理器或控制器同步工作，提升系统的整体处理效率。其256K x 36的组织结构意味着它可以存储256K个36位宽的数据字，适用于需要大位宽数据处理的应用，如网络设备、通信系统、图形处理器以及工业控制设备。
该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，支持宽电压操作，适应多种电源设计需求。在250MHz的工作频率下，IS61QDB21M36-250M3L能够提供极低的访问延迟，满足实时数据存取需求。其双端口设计允许同时进行读写操作，提升了数据吞吐量，适合需要并行处理的任务。
该SRAM采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗特性，在待机模式下电流消耗仅为10mA左右，有助于延长设备的续航时间或降低系统功耗。此外，它采用165引脚Mini BGA封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。该封装形式也提供了良好的散热性能，确保在高温环境下仍能保持稳定工作。
IS61QDB21M36-250M3L的工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种恶劣工作环境，包括工业自动化、车载电子、通信基础设施等。该芯片的高可靠性设计确保了在长期运行中的数据完整性和系统稳定性。
IS61QDB21M36-250M3L 主要应用于需要高速、大位宽数据存储和处理的系统中。例如，在网络交换机和路由器中，该SRAM可作为高速缓存用于存储转发数据包信息；在工业控制设备中，可用于实时数据缓冲和高速数据采集；在图形处理和视频编码系统中，该芯片的36位宽数据总线可以提高图像处理效率。
此外，该SRAM也适用于嵌入式系统、通信模块、测试设备、高速数据采集系统以及各种需要低延迟、高带宽存储的应用场景。其同步接口设计可与高速FPGA、DSP和微处理器无缝连接，提升整体系统性能。
IS61QDB21M36-250MA、IS61WDB21M36-250B、CY7C1513V18-250BZC、IDT70V41S136PFGI
