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JANTXV2N7236 发布时间 时间:2025/5/9 18:29:16 查看 阅读:11

JANTXV2N7236 是一种军用规格的 NMOS 场效应晶体管(MOSFET),属于 JANTXV 系列,适用于高可靠性要求的航空航天和军事应用。该器件采用 TO-92 封装形式,具有低导通电阻、快速开关特性和出色的耐用性。
  JANTXV2N7236 的设计符合 MIL-STD-883 军用标准,能够承受极端温度范围以及振动、冲击等恶劣环境条件,广泛用于功率控制电路、信号切换和保护电路中。

参数

类型:NMOS
  封装:TO-92
  Vds(漏源极电压):-50V
  Vgs(栅源极电压):±20V
  Rds(on)(导通电阻):3.5Ω
  Id(持续漏极电流):0.4A
  Pd(功耗):410mW
  fT(特征频率):8MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃

特性

JANTXV2N7236 具有以下主要特性:
  1. 高可靠性设计,满足 MIL-STD-883 标准。
  2. 宽广的工作温度范围,适应极端环境。
  3. 低导通电阻 Rds(on),减少功率损耗。
  4. 快速开关速度,适合高频应用场景。
  5. 军用级质量控制,确保长期稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保友好。
  这些特点使该器件非常适合在高要求环境中使用,例如卫星通信、雷达系统或军事装备中的电源管理与信号切换电路。

应用

JANTXV2N7236 广泛应用于以下领域:
  1. 航空航天设备中的信号调节与控制。
  2. 军事通信系统中的电源管理模块。
  3. 高可靠性的工业自动化控制电路。
  4. 电池供电设备中的负载切换。
  5. 极端环境下工作的便携式电子设备。
  由于其卓越的性能和高可靠性,这款 NMOS 晶体管成为许多关键任务应用的理想选择。

替代型号

2N7000, BSS138

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JANTXV2N7236参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Military, MIL-PRF-19500/595
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)220 毫欧 @ 18A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)60 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4W(Ta),125W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-254AA
  • 封装/外壳TO-254-3,TO-254AA(直引线)